【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】医用装置及X射线高压装置
作为本专利技术的一个形态的本实施方式涉及具备功率器件的医用装置及X射线高压装置。
技术介绍
X射线CT(computedtomography)装置、X射线装置等那样的医用图像诊断装置为了产生向X射线管供给的高压,而在X射线高压装置的转换器及逆变器中具备大电力的功率器件(适于电力设备的半导体元件)。该医用图像诊断装置运转时,每当产生X射线时X射线高压装置的功率器件中都会引起急剧的温度上升。X射线高压装置的输出电力为几十千瓦至一百千瓦,很大。因此,作为X射线高压装置的转换器及逆变器的功率器件,多数情况下使用IGBT(insulatedgatebipolartransistor:绝缘栅双极型晶体管)模块、MOSFET(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor:金属-氧化层-半导体-场效晶体管)模块等。作为以往的X射线高压装置,有将转换器形成为即使输入交流电源电压发生变动功率因数也稳定的装置(例如参照专利文献1。)。先行技术文献专利文献专利文献1:特开2005-259486号公报
技术实现思路
专 ...
【技术保护点】
一种医用装置,其中,具备:功率器件;温度传感器,检测温度数据;变换处理单元,在将覆盖所述功率器件的外壳内部的温度数据和粘接于所述功率器件的焊丝的温度数据中的至少一方与实测的温度数据建立了对应的表中,参照由所述温度传感器得到的温度数据,由此得到所述外壳内部的温度数据和所述焊丝的温度数据中的至少一方;以及预测时间运算单元,基于得到的所述温度数据,计算到所述功率器件故障为止的预测时间。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.09.11 JP 2012-1996591.一种医用装置,其中,具备:X射线管,产生X射线;X射线高压部,用于对所述X射线管施加高电压;功率器件;温度传感器,检测表示由于所述X射线的输出而产生的温度变化的温度数据;变换处理单元,在将覆盖所述功率器件的外壳内部的温度数据和粘接于所述功率器件的焊丝的温度数据中的至少一方与实测的温度数据建立了对应的表中,参照由所述温度传感器得到的温度数据,由此得到所述外壳内部的温度数据和所述焊丝的温度数据中的至少一方;以及预测时间运算单元,基于得到的所述温度数据,计算到所述功率器件故障为止的预测时间。2.如权利要求1所述的医用装置,其中,所述变换处理单元具有:波数计数单元,使用以基于所述外壳内部的温度数据和所述焊丝的温度数据中的至少一方而得的温度变化为振幅的波数计数法,针对多个温度振幅的各温度振幅计算循环计数;以及累积损伤值运算单元,基于所述多个温度振幅和与所述多个温度振幅分别对应的循环计数,计算累积损伤值;所述预测时间运算单元基于所述累积损伤值,计算所述预测时间。3.如权利要求1或2所述的医用装置,其中,还具有:比较单元,将所述预测时间与阈值进行比较;以及输出单元,在所述预测时间低于所述阈值的情况下,输出该情况。4.如权利要求3所述的医用装置,其中,所述输出单元将所述预测时间低于所述阈值的情况,显示在显示装置上,或者经由通信线路向外部装置发送。5.如权利要求1或2所述的医用装置,其中,还具有:比较单元,将所述预测时间与阈值进行比较;以及条件变更单元,在所述预测时间低于所述阈值的情况下,变更所述功率器件的动作条件。6.如权利要求2所述的医用装置,其中,所述波数计数单元使用作为所述波数计数法...
【专利技术属性】
技术研发人员:石山文雄,广畑贤治,
申请(专利权)人:株式会社东芝,东芝医疗系统株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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