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一种具有丰富动力学行为的忆阻超混沌系统及混沌电路技术方案

技术编号:10354542 阅读:408 留言:0更新日期:2014-08-27 10:57
本发明专利技术公开了一种具有丰富动力学行为的忆阻超混沌系统及混沌电路,本发明专利技术提出一个新的五阶忆阻超混沌系统,此系统具有丰富的混沌动力学行为,不同的角度的相轨图,可以看到网格以及涡卷等不同的混沌行为。这对于以后利用忆阻器件产生复杂动力学混沌系统迈出了基础的一步。

【技术实现步骤摘要】
—种具有丰富动力学行为的忆阻超混沌系统及混沌电路
[0001 ] 本专利技术涉及一种混沌系统及电路。
技术介绍
忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻器,它代表着电荷与磁通量之间的关系,具有会“记住”之前的电流量的功能。最早是在1971年由美国加州大学伯克利分校的蔡少棠教授首次提出,直到2008年5月,惠普实验室的科学家在《自然》杂志撰文指出,他们成功研制出了世界首个忆阻器。忆阻元件的存在,使电路设计的基础元件由电阻、电容和电感增加到了四个,忆阻器为电路设计及其忆阻电路应用提供了全新的发展空间。从第一个混沛系统在1963年被Lorenz发现以来,混沛的研究向着更深入更有价值的方向不断的前进着。在不同的领域越来越发挥出重要的作用。然而,混沌系统中都含有非线性的部分,如果用现有元件来设计混沌系统,将会产生较大的功耗,混沌系统的体积也较为庞大。新型电路元件--[乙阻器在这方面具有天然的优势。忆阻器具有纳米尺寸、非线性特征,很适合应 用于混沌系统中的非线性部分。而对于忆阻混沌系统的研究也在不断地发展着。2008年,Makoto Itoh将忆阻器应用到Chua电路和振荡电路中,产生了混沌现象。接着又有人实现了基于PWL忆阻器的混沌系统。Muthuswamy提出了基于一个分段线性忆阻器的混沌系统。包伯成等人提出了一种带有立方忆阻器的典型的蔡氏电路,文章中,= -αφ + 这样就得到了一个具有立方特性的忆阻器,对于具有该特性的忆阻器应用于蔡电路中,也能产生混沌吸引子。此后,他们又在上述立方忆阻器的基础上,加入一个负电导,做成了一个有源的忆阻器,将该有源的忆阻器放到蔡氏振荡电路中,也产生了混沌吸引子。对于基于忆阻器的混沌电路的研究,Stork等人提出了基于忆阻器的反馈系统,在该文献中也是将忆阻器的特性看做是分段线性的,并且产生了混沌吸引子。王丽丹等人利用忆阻器的非线性特性,成功推导出一个磁控忆阻器,并把它应用到了混沌系统中,得到了基于该忆阻器的混沌系统。
技术实现思路
本专利技术目的是实现一种具有丰富动力学行为的忆阻超混沌系统及混沌电路。为了实现上述第一目的,采用以下技术方案:一种混沌系统,其特征在于:所述混沌系统所对应的数学模型如下所示:混沌系统的无量纲方程为:本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种具有丰富动力学行为的忆阻超混沌系统,其特征在于:所述混沌系统所对应的数学模型如下所示:混沌系统的无量纲方程为:dxdτ=zdydτh+udydτ=a+w+bf(-|x|)dudτ=g1(y)dzdτ=-cz-du-ew+fg2(x)]]>式中,a,b,c,d,e,f和h是常数,且c=d=e=f=0.5是固定系数;f(x)=x-n3ROFF,x<n12kx+M2(0)-M(0)kn1≤x<n2x-n4ROFF,x<n2]]>其中,n1=R2OFF-M2(0)2kn2=R2ON-M2(0)2kn3=-[ROFF-M(0)]22kn4=-[RON-M(0)]2k]]>式中,x是进入忆阻器的磁通量,RON=100Ω,ROFF=20kΩ,M(0)=16kΩ,D=10nm;g(x)=Σm=-Mm≠0MA2αm{|[x-A[2m-|m|m]]+αm|-|[x-A[2m-|m|m]]-αm|}-x]]>式中,A>0,αm∈(0,A](m=±1,±2,…±M)称为三角波的变参数,αm又称为三角波的相对转折点值,M为正整数,选取g1(y)的M=2,[α1,α2]=[0.1,0.1],而g2(x)的M=5,即[α1,α2,α3,α4,α5]=[0.1,0.1,0.05,0.01,0.001]。...

【技术特征摘要】
1.一种具有丰富动力学行为的忆阻超混沌系统,其特征在于:所述混沌系统所对应的数学模型如下所示: 混沌系统的无量纲方程为: 2.一种具有丰富动力学行为的忆阻超混沌电路,其特征在于:由以下电路构成: (I)X状态实现电路: z状态变量的电压Vz接电阻R1后输入运算放大器U1的反相输入端,U1的反相输入端与输出端之间接有电容C1实现积分功能;运算放大器U1的输出接电阻R2后输入运算放大器队的反相输入端,运算放大器U2的反相输入端与输出端之间接有电阻R3,运算放大器U2的输出得到X状态变量的电压Vx ; (2)y状态实现电路: u状态变量的电压Vu接电阻R4后输入运算放大器U3的反相输入端,运算放大器U3的反相输入端与输出端之间接有电容C2实现积分功能;运算放大器U3的输出接电阻R5后输入运算放大器U4的反相输入端,运算放大器U4的反相输入端与输出端之间接有电阻R6,运算放大器U4的输出得到y状态变量的电压Vy ; (3)z状态实现电路: Vx接电阻R7后连接运算放大器U5的反相输入端,在运算放大器U5的反相输入端和输出端之间还连接有两条支路,其中第一支路为负极连接运算放大器U5反相输入端、正极连接运算放大器U5输出端的整流二级管D1,第二支路为串联的电阻R9和整流二极管D2,其中整流二级管D2的负极连接运算放大器U5的输出端,运算放大器U5的同相输入端接电阻R8后接地;运算放大器U6的反相输入段接电阻R11后接在电阻R9和整流二级管D2之间,运算放大器U6的同相输入端接电阻R12后接地; Vx端还依次串联电阻R1Q、电阻R13、电阻R14和电阻R15后接在运算放大器U7的输出端,运算放大器U6的反相输入端还通过导线连接在电阻Rltl和R13之间,运算放大器U6的输出端连接在电阻R13和电阻R14之间,运算放大器U7的反相输入端还通过导线连接在电阻R14和R15之间,运算放大器U7的输出端接在芯片U8的FLUX端; 芯片U8的CHANGE端依次连接电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R2(l、电阻R23、电阻R24及电容C3后连接运算放大器U12的输出端; 运算放大器U9的同相输入端连接在电阻R16与电阻R17之间,运算放大器U9的输出端连接在电阻R18与电阻R17之间,运算放大器U10的同相输入端连接在电阻R18与电阻R19之间,运算放大器U10的输出端连接在电阻R2tl与电阻R19之间,运算放大器U11的同相输入端连接在电阻R23与电阻R2tl之间,运算放大器U11的反相输入端接地,在运算放大器U11的反相输入端和同相输入端之间还连接有电阻R22和电容V1,电阻R21的一端接Vw,一端接在运算放大器U11的同相输入端;运算放大器U11的输出端连接在电阻R24与电阻R23之间,运算放大器U12的同相输入端连接在电阻R24和电容C3之间,运算放大器U12的输出端输出Vz ; ...

【专利技术属性】
技术研发人员:李慧芳王丽丹段书凯
申请(专利权)人:西南大学
类型:发明
国别省市:重庆;85

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