【技术实现步骤摘要】
一种高功率输入耦合器
[0001 ] 本专利技术涉及一种高功率输入耦合器，属于微波领域。
技术介绍
高功率输入耦合器本质上是一种微波传输元件，它是粒子加速器射频超导系统的关键部件之一，在射频超导系统中位于功率源和超导腔之间，其主要功能是将微波功率馈送到超导腔内(见附图1)，同时还利用陶瓷窗将大气与超高真空环境隔离开来、承担从室温到超导低温的低漏热过渡连接作用等多重功能。根据运行经验，高功率输入耦合器是射频超导系统中极为脆弱的关键部件之一，一旦损坏，将导致整个加速器无法运行，需花费很大的财力和较长的时间去修复它，成本较高、损失较大，因此它一直是加速器射频超导领域的热点和难点。目前国际上同类型的超导腔功率输入耦合器通常采用同轴型和波导型结构。但是无论哪种结构类型的功率输入耦合器，都需要将功率源与耦合器主传输线进行连接，该连接件的结构设计，或采用门钮转换结构[文献I，Mircea Stirbet, Fundamental PowerCouplers for the SNS Project, review of the SPL RF coupler CERN16_...
【技术保护点】
一种高功率输入耦合器，其特征在于高功率输入耦合器的输出端经一含有Choke结构的高频窗体与一同轴线缆连接；其中，所述Choke结构包括内导体Choke结构、外导体Choke结构和同轴平板陶瓷片；内导体Choke结构和外导体Choke结构分别包括位于该同轴平板陶瓷片两侧的上端和下端；内导体Choke结构的上端、下端分别与输出端同轴线缆的内导体密封电连接且通过一同轴金属框与该同轴平板陶瓷片密封连接，外导体Choke结构的上端、下端分别与输出端同轴线缆的外导体密封电连接且通过一同轴金属框与该同轴平板陶瓷片密封连接。
【技术特征摘要】
1.一种高功率输入稱合器,其特征在于高功率输入稱合器的输出端经一含有Choke结构的高频窗体与一同轴线缆连接；其中，所述Choke结构包括内导体Choke结构、外导体Choke结构和同轴平板陶瓷片；内导体Choke结构和外导体Choke结构分别包括位于该同轴平板陶瓷片两侧的上端和下端；内导体Choke结构的上端、下端分别与输出端同轴线缆的内导体密封电连接且通过一同轴金属框与该同轴平板陶瓷片密封连接，外导体Choke结构的上端、下端分别与输出端同轴线缆的外导体密封电连接且通过一同轴金属框与该同轴平板陶瓷片密封连接。2.如权利要求1所述的高功率输入耦合器，其特征在于包括一调谐装置，其包括输入端、短路端和所述输出端；所述调谐装置为一双导体结构，包括彼此绝缘的内层导体盒和外层导体盒，该内层导体盒的输入端口与输入端同轴线缆的内导体密封电连接、该内层导体盒的短路端口与短路端同轴线缆的内导体密封电连接、该内层导体盒的输出端口与输出端同轴线缆的内导体密封电连接；该外层导体盒的输入端口与输入端同轴线缆的外导体密封电连接、该外层导体盒的短路端口与短路端同轴线缆的外导体密封电连接、该外层导体盒的输出端口与输出端同轴线缆的外导体密封电连接。3.如权利要求2所述的高功率输入耦合器，其特征在于所述短路端同轴...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘卫民，陈旭，黄彤明，马强，孟繁博，林海英，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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