用于借助霍尔传感器的相对位置非接触式测量的方法技术

本发明专利技术涉及用于彼此相关的产生磁场的磁场源（102）和磁场传感器（100）的相对位置的非接触式测量的方法。本发明专利技术还进一步涉及相应的位移传感器。根据本发明专利技术，磁场传感器（100）检测该磁场的至少两个空间分量（Bz，By）以及从测得的分量产生的位置信号。该方法包括以下步骤：基于两个磁场分量的商计算位置信号；在计算商值之前校正沿磁场源（102）和磁场传感器（100）之间的运动方向延伸的磁场分量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于借助霍尔传感器的相对位置非接触式测量的方法
本专利技术涉及用于彼此相关的产生磁场的磁场源和磁场传感器的相对位置的非接触式测量的方法。进一步的，本专利技术还涉及相应的位移传感器。
技术介绍
特别的，意图借助根据本专利技术的方法借助在一个或多个永磁体和基于霍尔效应的磁传感器之间的磁相互作用以非接触的方式而检测和估计直线运动。直线运动的测量用于例如控制机械工具、气体力学、自动化技术和机器人技术以及汽车领域中。非接触式运动检测相比其他提供了免于受磨损的优势。在非接触式测量方法中，光学和磁的方法是最普遍的。尽管光学方法由于光的短波长而保证了非常高水平的精度，但是磁的方法对于污染和损坏是远不敏感的，特别是由于磁体和传感器部件可完全装入非磁性气密壳体中。其中可移位的永磁体的位置借助于二维或三维霍尔传感器而确定的位移传感器由不同制造商销售。为了检测在某位置上的相对直线运动，彼此垂直的两个磁场分量被测量并且求其商的值以确定所述位置。该方法具有的优势在于，在一个磁场分量取到极限值并且因此检测不到小的位移的区域中，另一个磁场分量对该位移更加强烈的起作用，使得在整个测量范围内提供有大约一致的高水平的测量本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于彼此相关的产生磁场的磁场源和磁场传感器的相对位置的非接触式测量的方法，所述磁场源和磁场传感器相对于彼此可移动，所述磁场传感器检测所述磁场的至少两个空间分量以及从测得的分量产生的位置信号，并且所述方法包括下列的步骤：基于两个磁场分量的商计算位置信号，在计算商值之前校正沿磁场源和磁场传感器之间的运动方向延伸的磁场分量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.29 DE 102011115302.41.用于彼此相关的产生磁场的磁场源和磁场传感器的相对位置的非接触式测量的方法，所述磁场源和磁场传感器能够通过直线运动而相对于彼此移动，所述磁场传感器检测所述磁场的沿磁场源和磁场传感器之间的相对运动方向延伸的一个磁场分量、和横向于所述相对运动方向延伸的一个磁场分量、以及从测得的磁场分量产生的位置信号，并且所述方法包括下列的步骤：基于两个磁场分量的商计算位置信号，在计算商值之前校正沿磁场源和磁场传感器之间的运动方向延伸的磁场分量，其中必要校正的值由下列步骤确立：依据位置值建立运动方向上的磁场分量的线；根据所述位置值计算所述线的二阶导数并且确定二阶导数的0点位置；从在最小间距的位置处的函数值减去所述线在0点位置处的函数值以计算用于校正的偏移值。2.根据权利要求1所述的方法，所述磁场传感器包括二维或三维霍尔传感器。3.根据权利要求1所述的方法，所述磁场源包括至少一个永磁体。4.根据权利要求1所述的方法，经校正的磁场分量是通过添加常量偏移值至测得的磁场分量而计算得到的。5.根据权利要求3所述的方法，经校正的磁场分量是通过在所述永磁体产生的磁场之上叠加辅助磁体产生的辅助磁场形成。6.用于彼此相关的产生磁场的磁场源(102)和磁场传感器(100)的相对位置的非接触式测量的位移传感器，所述磁场源(102)和磁场传感器(100)能够通过直线运动而相对于彼此移动，所述磁场传感器(100)构造为使得其检测所述磁场的沿磁场源和磁场传感器之间的相...

【专利技术属性】
技术研发人员：O沙夫，
申请(专利权)人：泰科电子AMP有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE