正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器，所述的红外探测器敏感元薄膜表面有一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜，探测器的敏感元薄膜位于锗透镜聚光中心焦点位置。本实用新型专利技术设计的器件结构制备工艺简单，只需进行一次图形光刻，两次切片和两次掩膜镀金，即能将薄膜型红外探测器的电极由薄膜表面引到衬底背面，实现了红外敏感元薄膜的正入射浸没式探测，避免了背入射条件下红外辐射信号因衬底反射和吸收而造成的光损失，大幅提高了薄膜型红外探测器的响应率和探测率，降低了器件的响应时间；且所设计的器件结构利于引线和封装，可用于正入射浸没式薄膜型红外探测器的批量生产。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器
本专利涉及红外探测器，具体涉及一种正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器。
技术介绍
非制冷红外探测器是一种重要的红外探测器，相比光子型红外探测器而言，具有制备成本低廉、无需低温冷却系统、宽波段响应、能在高温下工作、器件封装简单等优点，在军事、民用和工业等领域有着广泛的应用。过去，人们对非制冷红外探测器的研究主要集中在体材料上。体材料因晶粒间的不完全接触和空洞等缺陷的影响，致使器件的重复性、稳定性较差，且器件存在热容大、响应速度慢等不利因素。随着薄膜生长技术和微电子工艺的不断发展，器件的薄膜化已成必然趋势。薄膜型探测器相比体材料器件具有响应速度快、可靠性和稳定性高、重复性好、易于集成化等优点，且器件薄膜化将使得非制冷红外探测器制作成阵列焦平面成为可能，这将大大扩展其应用领域。但是，一般的非制冷薄膜型红外探测器普遍存在灵敏度低、时间常数大、器件响应率和探测率不高等问题。本专利通过对器件结构的合理设置，实现了基于化学溶液法[见参考文献一、二]制备锰钴镍氧薄膜的正入射浸没式非制冷红外探测器。该专利技术所述的正入射浸没式薄膜型红外探测器的性能优异，制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器，其特征在于：在所述的红外敏感元薄膜表面有一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜（4），探测器的敏感元（6）位于锗透镜聚光中心焦点位置；所述的锗单晶半球透镜（4）为折射率n=4、电阻率大于30Ωcm、表面镀制有抗反射层的锗半球晶体，在其底面镀有作为介质层与红外探测器进行粘接的硒砷化合物薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器，其特征在于:在所述的红外敏感元薄膜表面有一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜(4)，探测器的敏感元(6)位于锗透镜聚光中心焦点...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志明，欧阳程，周炜，吴敬，高艳卿，黄敬国，褚君浩，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：新型
国别省市：上海;31