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本实用新型公开了一种正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器,所述的红外探测器敏感元薄膜表面有一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜,探测器的敏感元薄膜位于锗透镜聚光中心焦点位置。本实用新型设计的器件结构制备工艺简单,只需进行一次图形光刻,两次切片和两...该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。
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本实用新型公开了一种正入射浸没式非制冷薄膜型红外探测器,所述的红外探测器敏感元薄膜表面有一能会聚红外信号的锗单晶半球透镜,探测器的敏感元薄膜位于锗透镜聚光中心焦点位置。本实用新型设计的器件结构制备工艺简单,只需进行一次图形光刻,两次切片和两...