一种量子点/石墨烯光敏场效应管及其制备方法技术

一种量子点/石墨烯光敏场效应管及其制备方法。场效应管的结构从最底层往上依次为：硅基衬底层、二氧化硅层、石墨烯层、电极层以及位于石墨烯层上方并处于电极层中间沟道位置的量子点层。该场效应管的制备过程是，首先采用现有成熟技术制备硅基衬底层和二氧化硅层，其次采用湿法转移法在二氧化硅层上面制备石墨烯层，然后采用多源有机气相沉积的方法制备电极层（即源极和漏极电极），最后采用层层覆盖的方法在电极层中间的沟道位置制备量子点层。本发明专利技术通过先蒸镀电极后涂覆量子点层的方法巧妙的将量子点层涂覆在电极中间沟道区域，并附着在石墨烯层上方，形成量子点和石墨烯材料的物理复合。该场效应管对红外波段的入射光具有较高的响应度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种量子点/石墨烯光敏场效应管，其特征在于该场效应管由最底层往上依次包括：硅基衬底层，该层为N型或P型高掺杂单晶硅；二氧化硅层，该层紧挨硅基衬底层上方；石墨烯层，该层位于二氧化硅层上方；电极层，该层在石墨烯层上方，中间留有沟道，沟道两侧的电极层分别为用作场效应管的源极和漏极；从源极和漏极引出导电线；量子点层，该层位于石墨烯层上方，并处于电极层中间的沟道位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张雅婷，王茂榕，宋效先，金露凡，王海艳，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12