本发明专利技术公开了一种PbSe量子点与石墨烯体异质结光敏场效应管及制备方法，体异质结光敏场效应管，包括：衬底层，衬底层上设置有二氧化硅层，二氧化硅层上设置有电极层，电极层作为整个场效应管的源极和漏极；在电极层的中间沟道位置设置有量子点与还原氧化石墨烯混合层，电极层的源极和漏极连接导电线，用于测试器件。所述方法包括：对衬底层和二氧化硅层的制备；对电极层的制备；对量子点与还原氧化石墨烯混合层的制备。本发明专利技术可靠性和稳定性高而且成本较低；制备的场效应管对红外波段的入射光具有较高的响应度。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光敏场效应管领域，尤其涉及一种PbSe量子点与石墨烯混合材料的体异质结光敏场效应管及其制备方法。
技术介绍
场效应管发展至今，其基本的器件构成和工作原理类似，均包含三个电极，即源极、漏极和栅极。传统的场效应晶体管是利用栅极电压控制导电沟道中载流子数目实现其功能的。制作方法较为成熟，器件成型也较为稳定。场效应晶体管同时具备了普通晶体管和电子管的优点，并且自身还有很多独特的性质。从它的工作过程来看，场效应晶体管的源极和漏极是可以互换的，即场效应晶体管的源极和漏极具有对称性，在实际使用过程中这一性质避免了反接造成电路损坏的可能，普通晶体管是不容易做到的。其次，场效应晶体管的噪声系数低，并且具有很强的防辐射能力。但是随着场效应管尺度的缩小，器件加工的均匀性问题变得越来越严重，器件的加工精度及掺杂均匀性也成为制约。当器件尺度达到纳米尺寸时，器件中的掺杂原子数也将会降到几百甚至几十的程度。使得场效应管的电学特性稳定性变差。在传统硅基器件日益趋近物理极限的背景下，含有量子点或者石墨烯的场效应管作为一种新型纳米器件受到了广泛关注。量子点的三个维度上的尺寸都在纳米量级，从材料维数受限的角度来看，当材料在不同方向上的维度尺寸小于该材料的费米波长时，材料中电子在该方向上的运动受限，导致其物理特性、光学特性发生了很大的变化。其能级分布类似于原子能级分布，是离散化的。当量子点的尺寸越小，相邻量子点之间的相对距离就会增大，载流子的迀移率也会随之降低，不能高效率传输。而石墨烯本身作为一种碳的特殊结构，具有极高迀移率和高载流子速度，是世界上导电性最好的材料，电子在其中的运动速度达到了光速的1/300，远远超过了电子在一般导体中的运动速度。因此这一特性正弥补了量子点材料的缺陷。量子点与石墨烯材料的结合，既综合了量子点独特的可调谐的光学特性、发光效率较高，又兼备石墨烯材料室温导电速度最快、导热能力最强等优点，具有优越的光可调谐性和光催化性，这也是改善电子-空穴电荷分离及其电子转移效率的一条有效途径，在柔性光电材料、太阳能电池、传感探测等诸多领域中具有很好的应用前景，其中用来做场效应管的研宄近几年也是日渐增多。石墨烯材料与量子点材料的共同优势，可实现对入射光的快速响应，并且可以对相应波长进行宽带宽调谐，在近红外及中红外波段均可实现较高的响应，已有实验及前期工作也证明了这种器件可以在室温下稳定工作，不需要低温条件的限制，因此对于这种新型量子点场效应管的器件化和产业化也奠定了坚实的可行性实践基础。在过去的几年中，研宄人员已经调查和研宄了多种不同的材料系统和纳米结构，以制造新型的场效应晶体管(FET)，包括碳纳米管(CNTs)和石墨烯，Si纳米线和SiGe半导体场效应晶体管，以及Ge和InGaAs场效应管，基于各种新材料的场效应管也在不断涌现。
技术实现思路
本专利技术提供了一种，本专利技术在入射光作用下可以实现量子点的高载流子浓度，以及通过石墨烯的高迀移率实现对载流子的传输，从而控制漏极的电流输出，详见下文描述:一种PbSe量子点与石墨烯体异质结光敏场效应管，包括:衬底层，所述衬底层上设置有二氧化硅层，所述二氧化硅层上设置有电极层，所述电极层作为整个场效应管的源极和漏极；在所述电极层的中间沟道位置设置有量子点与还原氧化石墨烯混合层，所述电极层的源极和漏极连接导电线，用于测试器件；所述衬底层为高掺杂单晶娃层，厚度在300nm ;所述二氧化娃层的厚度为300nm。一种PbSe量子点与石墨烯体异质结光敏场效应管的制备方法，所述方法包括以下步骤:对衬底层和二氧化硅层的制备；对电极层的制备；对量子点与还原氧化石墨烯混合层的制备；其中，所述对电极层的制备具体为:蒸镀腔初步抽低真空，当真空度达到102Pa，自动进行分子泵抽真空，直到真空度值为3 X KT4Pa ;待环境压强达到所需值后，逐步增加钨舟电流，3分钟调节一次，每次增加5?6A，同时观察材料状态变化；当电流至125A时，金属达到沸腾状态以后，观察石英晶体监测仪示数变化；当示数变化达到每秒1Hz时，迅速打开遮挡板，根据制膜厚度的要求，关闭挡板，此时完成蒸镀过程，电极厚度在200nm ;其中，所述对量子点与还原氧化石墨烯混合层的制备具体为:设定勾胶台转速为2000rpm ;当转速稳定后，取一滴PbSe量子点和还原氧化石墨烯混合材料溶液滴于旋转的器件上面，等待10秒到器件干燥，再依次滴三滴稀释后的乙二硫醇溶液、两滴乙腈溶液、两滴甲苯溶液；每滴完一滴均需等待10秒，待干燥后进行下一滴。本专利技术提供的技术方案的有益效果是:本专利技术在二氧化硅层上设置有电极层，电极层作为整个场效应管的源极和漏极；在电极层的中间沟道位置设置有量子点与还原氧化石墨烯混合层；电极层的源极和漏极连接导电线；又通过先蒸镀电极后涂覆量子点层的方法巧妙的将PbSe量子点与还原氧化石墨烯均匀的混合材料涂覆在电极的中间沟道区域。该场效应管对红外波段的入射光具有较高的响应度。【附图说明】图1为场效应管的正视图；图2为场效应管的俯视图；图3为制备方法的流程图；图4为本专利技术实施例获取到的量子点和石墨烯体异质结光敏场效应管的示意图。附图中，各标号所代表的部件列表如下:1:衬底层；2: 二氧化硅层；3:电极层；4:量子点与还原氧化石墨稀混合层。【具体实施方式】为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。实施例1PbSe量子点与石墨烯的体异质结光敏场效应管，整体结构由多层不同材质复合组成，参见图1和图2，包括:衬底层1，衬底层I上设置有二氧化硅层2，二氧化硅层2上设置有电极层3，电极层3作为整个场效应管的源极和漏极；在电极层3的中间沟道位置设置有量子点与还原氧化石墨烯混合层4，电极层3的源极和漏极连接导电线，用于测试器件。其中，衬底层I具体为高掺杂单晶硅层，厚度在300nm。二氧化硅层2为厚度为300nm的二氧化娃。电极层3，该层在二氧化硅层2上方，是场效应管的源极和漏极，通过蒸镀方法获得，厚度为200nm，源极和漏极的材质相同，结构一样，两电极可以互换使用，无需强调哪个是源极，哪个是漏极。实施例2本专利技术提供的PbSe量子点与石墨烯的体异质结光敏场效应管是逐层制备的，基于该场效应管的特定结构，从衬底层到电极层需逐步进行制备，参见图3，下面介绍该量子点和石墨烯光敏场效应管的制作过程:101:对衬底层I和二氧化硅层2的制备；该制备步骤采用本领域中的现有成熟技术即可，例如:金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organicChemicalVaporDePosit1n缩写为MOCVD)制备方法，衬底层I为高惨杂单晶娃，厚度为3 μ m，上层氧化的二氧化娃层2的厚度为300nm。该步骤中的制备方法为本领域技术人员所公知，本专利技术实施例对此不做赘述。102:对电极层3的制备；在实际应用中电极可以设计为多种样式，本专利技术实施例中当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种PbSe量子点与石墨烯体异质结光敏场效应管，包括：衬底层，其特征在于，所述衬底层上设置有二氧化硅层，所述二氧化硅层上设置有电极层，所述电极层作为整个场效应管的源极和漏极；在所述电极层的中间沟道位置设置有量子点层，所述电极层的源极和漏极连接导电线，用于测试器件；所述衬底层为高掺杂单晶硅层，厚度在300nm；所述二氧化硅层的厚度为300nm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张雅婷，王海艳，宋效先，曹明轩，王健隆，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12
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