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一种量子点/石墨烯光敏场效应管及其制备方法。场效应管的结构从最底层往上依次为：硅基衬底层、二氧化硅层、石墨烯层、电极层以及位于石墨烯层上方并处于电极层中间沟道位置的量子点层。该场效应管的制备过程是，首先采用现有成熟技术制备硅基衬底层和二氧化...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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