一种功率器件保护电路制造技术

技术编号:10325490 阅读:127 留言:0更新日期:2014-08-14 12:09
本实用新型专利技术提供了一种功率器件保护电路,包括:第一电阻,即插即用PNP三极管,NPN三极管,第二电阻和第三电阻,其中,第一电阻的一端与PNP三极管的E极相连,第一电阻的另一端与PNP三极管的B极、NPN三极管的C极以及MOS管G极相连;NPN三极管的E极接地,NPN三极管B极与PNP三极管的C极以及第二电阻相连,第三电阻一端接地,第三电阻另一端与MOS管S极、第二电阻一端相连。实现了在每个PWM有效电平内的逐周保护,而且响应十分快速及时,充分保护了功率器件的安全。

【技术实现步骤摘要】
一种功率器件保护电路
本技术涉及电学领域,特别涉及一种功率器件保护电路。
技术介绍
现有技术中,在功率器件的应用中,对过载及负载短路的保护十分重要,一些设备的损坏往往是由于缺少保护电路或保护电路不及时造成的,虽然有些专用集成电路集成了某种保护功能,但往往保护参数单一不能很方便地实现设计者意图。而没有使用具备保护功能集成电路的方案,则功率器件处于裸奔状态,随时面临意外情况下的损坏。即使有意单独设计保护电路,往往电路相对复杂,成本也相应较高。
技术实现思路
针对上述技术问题,本技术提供了一种功率器件保护电路,解决了上述没有使用具备保护功能集成电路的问题。一方面,本技术提供了一种功率器件保护电路,包括:第一电阻,即插即用PNP三极管,NPN三极管,第二电阻和第三电阻,其中,第一电阻的一端与PNP三极管的E极相连,第一电阻的另一端与PNP三极管的B极、NPN三极管的C极以及MOS管G极相连;NPN三极管的E极接地,NPN三极管B极与PNP三极管的C极以及第二电阻相连,第三电阻一端接地,第三电阻另一端 与MOS管S极、第二电阻一端相连。本技术的有益效果:实现了在每个PWM有效电平内的逐周保护,而且响应十分快速及时,充分保护了功率器件的安全。【附图说明】图1是本技术的一种功率器件保护电路的结构示意图;图2是本技术的一种应用的功率器件保护电路的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本技术作进一步说明,应指出的是,所描述的实施例仅旨在便于对本技术的理解,而对其不起任何限定作用。下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步详细的说明。如图1所示,本技术提供了一种功率器件保护电路,包括:第一电阻R1,PNP (Plug-and-Play,即插即用)三极管Ql,NPN三极管Q2,第二电阻R2和第三电阻R3,其中,第一电阻Rl的一端与PNP三极管Ql的E极相连,第一电阻Rl的另一端与PNP三极管Ql的B极、NPN三极管Q2的C极以及MOS管G极相连。NPN三极管Q2的E极接地,NPN三极管B极与PNP三极管Ql的C极以及第二电阻R2相连,第三电阻R3 —端接地,第三电阻R3另一端与MOS管S极、电阻R2 —端相连。当脉冲宽度调制(PWM)驱动信号为高电平且通过第一电阻Rl作为到MOS管G极上后,MOS管开始导通并且电流开始增加,第三电阻R3上压降也同步增大,当第三电阻R3上压降大于NPN三极管Q2导通电压后,NPN三极管Q2开始导通,第一电阻Rl压降开始增加,当第一电阻Rl压降超过PNP三极管Ql导通电压后,PNP三极管Ql导通,PNP三极管Ql导通的结果是使NPN三极管Q2的B极电压上升促使NPN三极管Q2导通程度进一步加大,而NPN三极管Q2导通程度的加大又促使PNP三极管Ql导通程度的进一步加大,如此正反馈的结果是Q2、PNP三极管Ql快速进入了饱和自锁状态,由于NPN三极管Q2饱和,MOS管G极电压为0,M0S管进入关断状态,第三电阻R3上压降为0,但由于PNP三极管Ql饱和抬高了NPN三极管Q2 B极电压,自锁状态仍然继续维持,MOS管处于持续关断状态。当PWM驱动信号为低电平,自锁状态解除。如图2所示,本技术提供了一种功率器件保护电路的一个具体例子,其中,电阻Rl —端与R4和Dl正极相连,另一端与NPN三极管Q3的B极、PNP三极管Q4的B极和PNP三极管Ql的B极及NPN三极管Q2的C极相连。Dl另一端与NPN三极管Q3的C极、电容Cl的一端相连。电容Cl的另一端接地。电阻R5的一端与NPN三极管Q3的E极相连。电阻R5的另一端与PNP三极管Q4的E极、MOS管Q5的G极相连。PNP三极管Q4的C极接地。NPN三极管Q2的E极接地,B极与PNP三极管Ql的C极、电阻R2相连。电阻R3 —端接地,另一端与MOS管Q5的S极、电阻R2 —端相连。当PWM驱动信号为高电平且通过Rl作用到由Q3、Q4组成的图腾柱电路驱动MOS管G极后,MOS管开始导通并且电流开始增加,R3上压降也同步增大,当R3上压降大于Q2导通电压后,Q2开始导通,Rl压降开始增加,当Rl压降超过Ql导通电压后,Ql导通,Ql导通的结果是使Q2 B极电压上升促使Q2导通程度进一步加大,而Q2导通程度的加大又促使Ql导通程度的进一步加大,如此正反馈的结果是Q2、Ql快速进入了饱和自锁状态,由于Q2饱和,Q4拉低MOS管G极电压,MOS管进入关断状态,电阻R3上压降为0,但由于Ql饱和抬高了 Q2 B极电压,自锁状态仍然继续维持,MOS管处于持续关断状态。当PWM驱动信号为低电平,自锁状态解除。上面描述仅是本技术的一个具体实施例,显然在本技术的技术方案指导下本领域的任何人所作的修改或局部替换,均属于本技术权利要求书限定的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率器件保护电路,其特征在于,包括:第一电阻,即插即用PNP三极管,NPN三极管,第二电阻和第三电阻,其中,所述第一电阻的一端与所述PNP三极管的E极相连,所述第一电阻的另一端与所述PNP三极管的B极、所述NPN三极管的C极以及MOS管G极相连,所述NPN三极管的E极接地,所述NPN三极管B极与所述PNP三极管的C极以及所述第二电阻相连,所述第三电阻一端接地,所述第三电阻另一端与MOS管S极以及所述第二电阻一端相连。

【技术特征摘要】
1.一种功率器件保护电路,其特征在于,包括:第一电阻,即插即用PNP三极管,NPN三极管,第二电阻和第三电阻,其中,所述第一电阻的一端与所述PNP三极管的E极相连,所述第一电阻的另一端与所述PNP三极管的B极、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:虞金中
申请(专利权)人:无锡金雨电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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