微测辐射热计及焦平面阵列制造技术

本文公开了微测辐射热计及焦平面阵列。微测辐射热计包括底部多层电介质（510），其具有第一氮氧化硅层（514）和位于第一氮氧化硅层（514）之上的第二氮氧化硅层（516），第一（514）和第二（516）氮氧化硅层具有不同的折射率。该微测辐射热计还包括位于底部多层电介质（510）之上的探测器层（520）和位于探测器层（520）之上的顶部电介质（530），其中该探测器层（520）由温敏电阻材料组成。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微测辐射热计及焦平面阵列
本公开文本大体上涉及红外摄像机，并且更具体地，涉及微测辐射热计探测器和焦平面阵列。
技术介绍
在19世纪80年代，开发了被称为测辐射热计的红外探测器。该测辐射热计运行的原理是:测辐射热计材料的电阻关于测辐射热计的温度变化，而测辐射热计的温度又响应于吸收的入射红外辐射的量而变化。这些特性可以被开发用来通过感知测辐射热计电阻的最终变化而测量其上的入射红外辐射。当用作红外探测器时，测辐射热计通常与其支撑基板或周围环境热隔离，从而允许吸收的入射红外辐射在测辐射热计材料中产生温度变化。微测辐射热计阵列通常通过构建紧密间隔的涂覆有温敏电阻材料的空气桥结构的二维阵列而制造在单片硅基板或集成电路上，温敏电阻材料(例如氧化钒)吸收红外辐射。空气桥结构提供了微测辐射热计探测器和硅基板之间的热隔离。利用在阵列中充当一像素的每个微测辐射热计，可以通过将每个微测辐射热计的电阻的变化转换成时间复用的电信号而生成代表入射辐射的二维图像或照片，所述时间复用的电信号能够显示在监视器上或存储在存储器中。用于执行该转换的电路通常被称为读出集成电路(R0IC)，并且可以制造为硅基板中的集成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微测辐射热计，包括： 底部多层电介质，其包括第一氮氧化硅层和位于第一氮氧化硅层之上的第二氮氧化硅层，第一和第二氮氧化硅层具有不同的折射率； 位于底部多层电介质之上的探测器层，该探测器层由温敏电阻材料组成；及 位于探测器层之上的顶部电介质。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.10 US 13/157,7621.一种微测辐射热计，包括: 底部多层电介质，其包括第一氮氧化硅层和位于第一氮氧化硅层之上的第二氮氧化硅层，第一和第二氮氧化硅层具有不同的折射率； 位于底部多层电介质之上的探测器层，该探测器层由温敏电阻材料组成；及 位于探测器层之上的顶部电介质。2.如权利要求1所述的微测辐射热计，其特征在于，底部多层电介质包括位于第一氮氧化娃层之下的第一氮化娃层。3.如权利要求2所述的微测辐射热计，其特征在于，第一氮氧化硅层和第二氮氧化硅层在一个生长期中连续地形成。4.如权利要求2所述的微测辐射热计， 其特征在于，第一氮化硅层具有大约200埃和大约2000埃之间的厚度以及大约1.6和大约2.2之间的折射率， 其中，第一氮氧化硅层具有大约200埃和大约2000埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.9之间的折射率，及 其中，第二氮氧化硅层具有大约200埃和大约2000埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.8之间的折射率。5.如权利要求2所述的微测辐射热计，其特征在于，探测器层由氧化钒组成并且厚度在大约300埃和大约800埃之间。6.如权利要求2所述的微测辐射热计，其特征在于，顶部电介质是顶部多层电介质，该顶部多层电介质包括: 位于探测器层之上的第三氮氧化硅层； 位于第三氮氧化硅层之上的第四氮氧化硅层；及 位于第四氮氧化硅层之上的第二氮化硅层；7.如权利要求6所述的微测辐射热计，其特征在于，第三氮氧化硅层和第四氮氧化硅层在一个生长期中连续地形成。8.如权利要求6所述的微测辐射热计， 其特征在于，第三氮氧化硅层具有大约200埃和大约1200埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.8之间的折射率， 其中，第四氮氧化硅层具有大约200埃和大约1200埃之间的厚度以及大约1.3和大约1.9之间的折射率，及 其中，第二氮化硅层具有大约200埃和大约1200埃之间的厚度以及大约1.6和大约2.2之间的折射率。9.如权利要求1所述的微测辐射热计...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·F·卡纳塔，Y·佩特雷蒂斯，P·富兰克林，R·西梅斯，R·E·玻恩弗洛恩德，
申请(专利权)人：菲力尔系统公司，
类型：新型
国别省市：美国;US