一种低介电聚醚酰亚胺薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低介电聚酰亚胺薄膜的制备方法。本发明专利技术的方法是首先制备电沉积用模板，然后将可溶性聚酰亚胺溶于有机溶剂，通过分子修饰使分子链带电正荷制得电沉积用乳液，在处理后的模板上电沉积聚酰亚胺薄膜，随后将模板刻蚀，在薄膜中引入气孔，降低聚酰亚胺薄膜的介电常数，最后涂覆聚酰亚胺溶液并热处理得到低介电聚酰亚胺薄膜。本发明专利技术的方法制备的薄膜的孔隙率高，具有超低介电常数和良好的力学性能，在电工、电子信息、军事、航空航天等方面具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低介电聚醚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：（1）将微球分散到分散剂中，配制微球均匀分散的分散液；然后将洁净的基板放入培养瓶，瓶中注入适量的分散液；将培养瓶放入温度为30‑60℃的培养箱，待溶剂挥发制得电沉积用模板；（2）在25‑100℃下，快速搅拌将聚酰亚胺溶于有机溶剂中，然后加入多胺与聚酰亚胺反应，使聚酰亚胺分子中的酰亚胺环打开；所述的多胺与聚酰亚胺中酰亚胺基团的摩尔比为0.1‑1：1；聚酰亚胺与多胺反应的温度为80‑150℃，反应时间为1‑5h；然后向聚酰亚胺与多胺的反应产物中加入有机酸，有机酸与多胺的摩尔比为0.1‑1.2：1；随后向混合溶液中加入不与水混溶的有机溶剂...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李垚，刘俊凯，赵九蓬，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23