【技术实现步骤摘要】
本专利技术申请是本专利技术申请人于2012年4月9日进入中国国家阶段的、申请号为201080046493.2、专利技术名称为“液晶显示装置及包括该液晶显示装置的电子设备”的专利技术申请的分案申请。
本专利技术涉及液晶显示装置。另外，本专利技术涉及具备该液晶显示装置的电子设备。
技术介绍
如以液晶显示装置为代表那样，形成在诸如玻璃衬底等的平板上的薄膜晶体管使用非晶硅或多晶硅来形成。使用非晶硅制造的薄膜晶体管具有如下特性：虽然其场效应迁移率低，但是能形成在较大的玻璃衬底上。另一方面，使用多晶硅制造的薄膜晶体管具有如下特性：虽然其场效应迁移率高，但是需要进行诸如激光退火等的晶化工序，且不一定适合于较大的玻璃衬底。 鉴于上述情况，使用氧化物半导体来制造薄膜晶体管，且将它应用于电子设备和光装置的技术方案受到关注。例如，专利文献1公开了作为氧化物半导体膜使用氧化锌、In-Ga-Zn-O类氧化物半导体来制造薄膜晶体管，且将这种晶体管用于液晶显示装置的开关元件等的技术方案。 ...
【技术保护点】
一种液晶显示装置，包括：第一导电膜；第二导电膜；第三导电膜；以及晶体管,其中，所述晶体管包括氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括铟、镓及锌，所述氧化物半导体层具有结晶性，所述第一导电膜包括被用作所述晶体管的栅极的第一区域，所述晶体管在与所述栅极重叠的区域的所述氧化物半导体层中包括沟道形成区，所述液晶显示装置包括接触于所述沟道形成区上的氧化物绝缘层，所述氧化物绝缘层包括氧化硅，所述第一导电膜包括超过在所述氧化物半导体层的沟道宽度方向上的端部的第二区域，所述第一导电膜包括比所述被用作栅极的第一区域的宽度小的第三区域，所述第三区域被用作扫描线，所述第二导电膜被用作信号线，所述信...
【技术特征摘要】
2009.10.09 JP 2009-2352871. 一种液晶显示装置，包括：
第一导电膜；
第二导电膜；
第三导电膜；以及
晶体管,
其中，所述晶体管包括氧化物半导体层，
所述氧化物半导体层包括铟、镓及锌，
所述氧化物半导体层具有结晶性，
所述第一导电膜包括被用作所述晶体管的栅极的第一区域，
所述晶体管在与所述栅极重叠的区域的所述氧化物半导体层中包括沟道形成区，
所述液晶显示装置包括接触于所述沟道形成区上的氧化物绝缘层，
所述氧化物绝缘层包括氧化硅，
所述第一导电膜包括超过在所述氧化物半导体层的沟道宽度方向上的端部的第二区域，
所述第一导电膜包括比所述被用作栅极的第一区域的宽度小的第三区域，
所述第三区域被用作扫描线，
所述第二导电膜被用作信号线，
所述信号线与所述晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三导电膜电连接，
所述第三导电膜与像素电极电连接，
所述第二导电膜及所述第三导电膜是通过对形成在所述氧化物半导体层上的导电层进行蚀刻工序而形成的，
所述氧化物半导体层包括其在沟道宽度方向上的长度大于所述沟道形成区的沟道长度的区域，
并且，所述氧化物半导体层包括其在沟道长度方向上的长度大于所述第一导电膜的所述第三区域的宽度的区域。
2. 一种液晶显示装置，包括：
第一导电膜；
第二导电膜；
第三导电膜；以及
晶体管,
其中，所述晶体管包括氧化物半导体层，
所述氧化物半导体层包括铟、镓及锌，
所述氧化物半导体层具有结晶性，
所述第一导电膜包括被用作所述晶体管的栅极的第一区域，
所述晶体管在与所述栅极重叠的区域的所述氧化物半导体层中包括沟道形成区，
所述液晶显示装置包括接触于所述沟道形成区上的氧化物绝缘层，
所述氧化物绝缘层包括氧化硅，
所述第一导电膜包括超过在所述氧化物半导体层的沟道宽度方向上的端部的第二区域，
所述第一导电膜包括比所述被用作栅极的第一区域的宽度小的第三区域，
所述第三区域被用作扫描线，
所述第二导电膜被用作信号线，
所述信号线与所述晶体管的源极和漏极中的一个电连接，
所述晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第三导电膜电连接，
所述第三导电膜与像素电极电连接，
所述第二导电膜及所述第三导电膜是通过对形成在所述氧化物半导体层上的导电层进行蚀刻工序而形成的，
所述氧化物半导体层包括其在沟道宽度方向上的长度大于从重叠于所述氧化物半导体层的所述第二导电膜的端部到重叠于所述氧化物半导体层的所述第三导电膜的端部为止的距离的区域，
并且，所述氧化物半导体层包括其在沟道长度方向上的长度大于所述第一导电膜的所述第三区域的宽度的区域。
3. 一种液晶显示装置，包括：
第一导电膜；
第二导电膜；
第三导电膜；
电容器；以及
晶体管,<...
【专利技术属性】
技术研发人员：荒泽亮，宍户英明，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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