一种判断体铁测试值可信度的方法技术

本发明专利技术提供了一种判断体铁测试值可信度的方法，涉及半导体晶片工艺技术领域，本发明专利技术是在对比待测硅片光照前、后少子扩散长度判断出其体铁值可信度的基础上，进一步通过比对可信硅片体铁值与光照前、后少子的扩散长度的相关系数与待测硅片体铁值与光照前、后少子的扩散长度的相关系数的数值差，进而判断出待测硅片的体铁值的可信度，本发明专利技术可以有效的判断出体铁值的可信度，为分析工艺数据提供可信的实验数据，加快优化工艺参数的速率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属半导体硅片工艺
，具体为一种判断体铁测试值可信度的方法。
技术介绍
随着IC工业的发展,对硅材料的质量提出了越来越高的要求。硅单晶中的非平衡少数载流子寿命(少子寿命)是一个被关注的表征材抖性能的重要物理参数。影响少子寿命的主要因素之一是金属沾污。因为金属杂质可以通过热过程从硅片的表面扩散进内部,并成为非常有效的复合中心,大大促进载流子的复合,降低硅片寿命,进而影响器件的性能和可靠性。 在集成电路芯片的制造过程中硅片需通过多道工序处理，每道工序前、后需对该工艺可能产生变化的硅片的重要参数进行测试。在热处理、外延以及CVD等工艺等过程中对金属沾污需要严格控制。用来衡量硅片的金属沾污程度的主要参数有表面金属浓度和体铁浓度。目前高精度测试硅片体铁浓度的主要方法是表面光电压法(SPV)法，表面光电压法(SPV)法是一种非破坏性可全片扫描测量硅抛光片少数载流子扩散长度及体内铁杂质含量的测试方法。在常温下,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种判断体铁测试值可信度的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、选取一组可信硅片，采用SPV法分别测量该组硅片光照前少子的扩散长度Lbefore1、Lbefore2…Lbeforen、光照后少子的扩散长度Lafter1、Lafter2…Laftern后，计算出可信硅片的体铁值NFe1、NFe2…NFen； S2、计算S1可信硅片组的体铁值与光照前扩散长度的相关系数Rb及体铁值与光照后扩散长度的相关系数Ra； S3、提供待测单枚硅片，采用SPV法测量待测硅片光照前少子的扩散长度Lbefore(n+1)和光照后少子的扩散长度Lafter(n+1)，如待测硅片光照前少子的扩散长度小于光照后少子的扩...

【技术特征摘要】
1.一种判断体铁测试值可信度的方法，其特征在于，包括以下步骤： 
S1、选取一组可信硅片，采用SPV法分别测量该组硅片光照前少子的扩散长度Lbefore1、Lbefore2…Lbeforen、光照后少子的扩散长度Lafter1、Lafter2…Laftern后，计算出可信硅片的体铁值NFe1、NFe2…NFen； 
S2、计算S1可信硅片组的体铁值与光照前扩散长度的相关系数Rb及体铁值与光照后扩散长度的相关系数Ra； 
S3、提供待测单枚硅片，采用SPV法测量待测硅片光照前少子的扩散长度Lbefore(n+1)和光照后少子的扩散长度Lafter(n+1)，如待测硅片光照前少子的扩散长度小于光照后少子的扩散长度，则判断体铁值不可信，如待测硅片光照前少子的扩散长度大于光照后少子的扩散长度，则判断体铁值可信并进一步计算出待测硅片的体铁值NFe(n+1)； 
S4、将S3中待测单枚硅片放入S1可信硅片组中，计算该组硅片的体铁值与光照前扩散长度的相关系数R′b及该组硅片的体铁值与光照后扩散长度的相关系数R′a； 
S5、比对S2中Rb和S4中R′b的数值及比对S2中Ra和S4中R′a的数值，如Rb和R′b之间的数值越接近且Ra和R′a的数值越接近则判断该待测硅片的体铁值可信度越高，反之，则判断该待测硅片的体铁值可信度越低。 
2.根据权利要求1所述的判断体铁测试值可信度的方法，其特征在于，所述步骤S2中Rb的计算公式为： 
其中，Rb为可信硅片组的体铁值与光照前扩散长度的相关系数，NFei(i＝1、2…n)为可信硅片组的体铁值，为可信硅片组的体铁值的均值，Lbeforei(i＝1、2…n)为可信硅片组的光照前少子的扩散长度,为可信硅 片组的光照前少子的扩散长度的均值； 
所述步骤S2中Ra的计算公式为： 
其中，Ra为可信硅片组的体铁值与光照后扩散长度的相关系数，NFei(i＝1、2…n)为可信硅片组的体铁值，为可信硅片组的体铁值的均值，Lafteri(i＝1、2…n)为可信硅片组的光照后少子的扩散长度,为可信硅片组的光照后少子的扩散长度的均值。 
3.根据权利要求2所述的判断体铁测试值可信度的方法，其特征在于，所述可信硅片组的的计算公式为： 
所述可信硅片组的的计算公式为： 
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘耀琴，王艾，周文飞，王建勋，
申请(专利权)人：北京七星华创电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11