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本发明提供了一种判断体铁测试值可信度的方法，涉及半导体晶片工艺技术领域，本发明是在对比待测硅片光照前、后少子扩散长度判断出其体铁值可信度的基础上，进一步通过比对可信硅片体铁值与光照前、后少子的扩散长度的相关系数与待测硅片体铁值与光照前、后少...
该专利属于北京七星华创电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京七星华创电子股份有限公司授权不得商用。

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