电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备制造技术

技术编号:10301486 阅读:124 留言:0更新日期:2014-08-07 07:55
本发明专利技术涉及电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备。电子照相感光构件的感光层或电荷产生层含有镓酞菁和特定的二胺化合物如1,2-二氨基乙烷或1,3-二氨基丙烷。基于镓酞菁,在感光层或电荷产生层中的所述特定的二胺化合物的含量为10ppm至1,000ppm(质量比)。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备。电子照相感光构件的感光层或电荷产生层含有镓酞菁和特定的二胺化合物如1,2-二氨基乙烷或1,3-二氨基丙烷。基于镓酞菁,在感光层或电荷产生层中的所述特定的二胺化合物的含量为10ppm至1,000ppm(质量比)。【专利说明】电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
本专利技术涉及电子照相感光构件、包括电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
技术介绍
电子照相感光构件包括各种材料作为电荷产生材料。此类材料之中,具有高感光度的酞菁颜料常用作电子照相感光构件的电荷产生材料。然而,在为了提高感光度而增大电子照相感光构件的感光层或电荷产生层中的酞菁颜料含量时,暗衰减(dark attenuation)倾向于增大。暗衰减是在电子照相感光构件的表面带电时,电子照相感光构件的表面电位在暗处随时间降低(衰减)的现象。大的暗衰减是指在暗处电子照相感光构件的表面电位降低(衰减)的程度大。暗衰减增大导致图像对比度降低、黑点和背景起雾,这可能导致图像质量下降。日本专利特开2006-72304公开了一种技术,其中通过特定的方法生产酞菁颜料和有机电子受体的复合体,和通过使用该复合体降低暗衰减。日本专利特开2008-15428公开了一种技术,其中通过在感光层中引入特定的盐和特定的电荷产生材料来降低暗衰减。然而,根据本专利技术的专利技术人进行的研究,日本专利特开2006-72304和2008-15428中公开的技术在一些情况下并未充分降低暗衰减。
技术实现思路
本专利技术提供抑制暗衰减的电子照相感光构件、包括该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。本专利技术的第一方面提供电子照相感光构件,其包括支承体和形成在所述支承体上的感光层。所述感光层含有由下式(I)表示的化合物和镓酞菁,和基于所述镓酞菁,在感光层中的由式(I)表示的化合物的含量为IOppm至1,OOOppm(质量比)。H2N-CH2-R1-CH2-NH2 (I)在式(I)中,R1表示单键或者取代或未取代的具有1-10个主链碳原子的亚烷基。所述取代的亚烷基的取代基是具有1-3个碳原子的烷基、被氨基取代的具有1-3个碳原子的烷基、或羟基。所述亚烷基的主链中的碳原子之一可被氧原子、硫原子或式-NR2-表示的二价基团代替,R2表示氢原子、具有1-3个碳原子的烷基,或被氨基取代的具有1-3个碳原子的烧基。本专利技术的第二方面提供电子照相感光构件,其包括支承体和形成在所述支承体上的感光层,所述感光层包括电荷产生层和形成在所述电荷产生层上的电荷输送层。所述电荷产生层含有由式(I)表示的化合物和镓酞菁,和基于所述镓酞菁,在电荷产生层中的由式⑴表示的化合物的含量为IOppm至1,000ppm(质量比)。本专利技术的第三方面提供可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒。所述处理盒一体化地支承上述电子照相感光构件和选自由充电装置、显影装置、转印装置和清洁装置组成的组中的至少一种装置。本专利技术的第四方面提供电子照相设备,其包括上述电子照相感光构件、充电装置、曝光装置、显影装置和转印装置。根据本专利技术的所述方面,可以提供具有良好的电子照相特性且抑制暗衰减的电子照相感光构件、包括所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。参考附图,从下述示例性实施方案的描述,本专利技术的进一步特征将变得明显。【专利附图】【附图说明】图1是显示包括包含根据本专利技术实施方案的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意结构的实例的图。图2是涉及电子照相感光构件的暗衰减的评价的图。【具体实施方式】根据本专利技术的实施方案的电子照相感光构件包括支承体和形成在所述支承体上的感光层。 所述感光层可以是在单层中含有电荷输送材料和电荷产生材料的单层型感光层。可选地,所述感光层可以是多层型(功能分离型)感光层,其包括含有电荷产生材料的电荷产生层和含有电荷输送材料的电荷输送层。从电子照相特性的观点,优选多层型感光层。多层型感光层可以是包括电荷产生层和设置在该电荷产生层上的电荷输送层的顺层型感光层。可选地,多层型感光层可以是包括电荷输送层和设置在该电荷输送层上的电荷产生层的逆层型感光层。从电子照相特性的观点,优选顺层型感光层。根据本专利技术实施方案的电子照相感光构件的感光层或电荷产生层含有由下式(I)表示的化合物(二胺化合物)和镓酞菁。基于镓酞菁,在感光层或电荷产生层中的式(I)表示的化合物的含量为IOppm至1,000ppm(质量比)。H2N-CH2-R1-CH2-NH2 (I)在式(I)中,R1表示单键,或者取代或未取代的具有1-10个主链碳原子的亚烷基。所述取代的亚烷基的取代基是具有1-3个碳原子的烷基、被氨基取代的具有1-3个碳原子的烷基、或羟基。所述亚烷基的主链中的碳原子之一可被氧原子、硫原子或式-NR2-表示的二价基团代替,R2表示氢原子、具有1-3个碳原子的烷基,或被氨基取代的具有1-3个碳原子的烷基。由式(I)表示的化合物的实例包括1,2_ 二氨基乙烷(乙二胺)、1,3_ 二氨基丙烷、I, 4- 二氨基丁烷、I, 5- 二氨基戊烷、I, 6- 二氨基己烷、I, 7- 二氨基庚烷、I, 8- 二氨基辛烷、1,9- 二氨基壬烷、1,10- 二氨基癸烷、1,11- 二氨基十一烷、1,12- 二氨基十二烷、2-甲基_1,5-二氨基戍烧、二亚乙基二胺、二(2-氨基乙基)胺、2,2’ -硫代双(乙胺)、1,2-二氨基丙烷,I, 2- 二氨基-2-甲基丙烷、2-甲基-1,3-丙二胺、1,3- 二氨基-2-丙醇、2,2- 二甲基-1,3-丙二胺、2,2’ -氧代双(乙胺)、2_甲基-1,5- 二氨基戍烧、2,2’ - 二氨基-N-甲基二乙胺、3,3’ - 二氨基二丙胺、双(3-氨基丙基)醚、3,3’ - 二氨基-N-甲基二丙胺、N, N’ -双(3-氨基丙基)乙二胺、乙二醇双(3-氨基丙基)醚、三(3-氨基丙基)胺、1,4-丁二醇双(3-氨基丙基)醚、双(六亚甲基)三胺、三亚乙基四胺、1,2-双(2-氨基乙氧基)乙烷、N, N’ -双(2-氨基乙基)-1,3-丙二胺、1,11- 二氨基-3,6, 9- 二氧杂十一烧、2_(氨基甲基)-2-甲基-1,3-丙二胺和四亚乙基五胺。由式(I)表示的化合物(溶剂)可单独使用,或以两种以上的化合物(溶剂)的组合方式使用。本专利技术的专利技术人认为如下:在式(I)表示的化合物的两端的氨基容易与镓酞菁的镓原子形成螯合键。因此,由式(I)表示的化合物起到抑制镓酞菁颗粒聚集的间隔物(spacer)的功能并抑制在感光层或电荷产生层中镓酞菁颗粒彼此连续地连接的长载流子路径(long carrier path)的形成。结果,当电子照相感光构件的表面带电时,电子照相感光构件的表面电位不容易降低(衰减)。即,暗衰减被抑制。当基于镓酞菁感光层或电荷产生层中含有的式(I)表示的化合物的含量小于IOppm时,抑制暗衰减的效果降低。当式(I)表示的化合物的含量超过1,OOOppm时,感光层或电荷产生层中的镓酞菁的颗粒尺寸变得过于小,电荷产生效率倾向于降低。从上述的观点,在本专利技术的实施方案中,基于镓酞菁,感光层或电荷产生层中含有的式⑴表示的化合物的含量为IOppm至1,OOOppm(质量比)。由式⑴表示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子照相感光构件,其包含:支承体;和形成在所述支承体上的感光层,其中所述感光层包含:由下式(1)表示的化合物;和镓酞菁,和其中,基于所述镓酞菁,在所述感光层中的所述由式(1)表示的化合物的含量以质量比计为10ppm至1,000ppm,H2N‑CH2‑R1‑CH2‑NH2  (1)其中,在式(1)中,R1表示单键、取代或未取代的具有1‑10个主链碳原子的亚烷基,所述取代的亚烷基的取代基是具有1‑3个碳原子的烷基、被氨基取代的具有1‑3个碳原子的烷基、或羟基,所述亚烷基的主链中的碳原子之一可被氧原子、硫原子或式‑NR2‑表示的二价基团代替,和R2表示氢原子、具有1‑3个碳原子的烷基,或被氨基取代的具有1‑3个碳原子的烷基。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:西田孟田中正人川原正隆
申请(专利权)人:佳能株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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