充放电控制电路以及电池装置制造方法及图纸

充放电控制电路以及电池装置。在电平转换电路中无论采用哪种MOS晶体管，在充电器连接时都不会被破坏并能缩小布局面积。在该充放电控制电路中，对监视二次电池的电压的控制电路输出的充电控制信号的电压进行电平转换的电平转换电路具备：第一导电型的第一晶体管，栅极与电平转换电路的输入端子连接，源极与第一电源端子连接；第一电阻，一个端子与电平转换电路的输入端子连接；第二导电型的第二晶体管，栅极与第一电阻的另一端子连接，漏极与第一晶体管的漏极连接，源极与被输入待电平转换的电压的端子连接；第二导电型的第三晶体管，栅极及漏极与第一电阻的另一端子连接，源极与被输入待电平转换的电压的端子连接。电池装置具备该充放电控制电路。

【技术实现步骤摘要】
充放电控制电路以及电池装置
本专利技术涉及检测二次电池的电压或异常的充放电控制电路以及电池装置，尤其涉及内置有将低电压信号转换为正极以及负极的高电压信号的电平转换电路的充放电控制电路以及电池装置。
技术介绍
图4示出现有的具有充放电控制电路的电池装置的电路图。现有的具有充放电控制电路的电池装置具备：二次电池1、监视二次电池1的电压的控制电路2、PMOS晶体管401、408、409、NMOS晶体管402、410、反相器407、控制二次电池1的充电与放电的开关电路3、与充电器8或负载9连接的外部端子4以及外部端子5、电平转换电路74、下拉电阻411、VDD端子、VSS端子、充电控制端子13、放电控制端子12和过电流检测端子14。电平转换电路74具备PMOS晶体管403、405和NMOS晶体管404、406。开关电路3具备放电控制开关10和充电控制开关11。控制电路2监视二次电池1的电压，在连接充电器8而二次电池1的电池电压成为过充电状态时，输出高电平的信号以使放电控制开关10接通，并且输出高电平的信号以使充电控制开关11关断。这样，切断来自充电器8的充电电流，停止向二次电池1的充电。在连接负载9而二次电池1的电压成为过放电状态时，控制电路2输出低电平的信号以使放电控制开关10关断，输出低电平的信号以使充电控制开关11接通。这样，切断向负载9的放电电流，停止二次电池1的放电。以上，在二次电池1成为过充电或过放电时，能够控制放电控制开关10或充电控制开关11，使充电电流或放电电流停止(例如，专利文献1、参照图1)。专利文献1：日本特开平10-225007号公报但是，在现有的技术中存在这样的课题：如果在电平转换电路74中采用栅极耐压低的晶体管来构成，则在充电器连接时晶体管被破坏。另外，还存在这样的课题：为了防止充电器连接时的破坏而采用高耐压构造的MOS晶体管时，MOS晶体管的面积变大，布局面积增加。
技术实现思路
本专利技术是为了解决以上这样的课题而完成的，提供无论在电平转换电路中采用哪种MOS晶体管、在充电器连接时都不会被破坏并能够缩小布局面积的充放电控制电路以及电池装置。为了解决现有的课题，具有本专利技术的充放电控制电路的电池装置采用以下这样的结构。在充放电控制电路中，对监视二次电池的电压的控制电路所输出的充电控制信号的电压进行电平转换的电平转换电路具备：第一导电型的第一晶体管，其栅极与电平转换电路的输入端子连接，源极与第一电源端子连接；第一电阻，其一个端子与电平转换电路的输入端子连接；第二导电型的第二晶体管，其栅极与第一电阻的另一端子连接，漏极与第一晶体管的漏极连接，源极与被输入待进行电平转换的电压的端子连接；以及第二导电型的第三晶体管，其栅极以及漏极与第一电阻的另一端子连接，源极与被输入待进行电平转换的电压的端子连接。另外，该电池装置具备该充放电控制电路。根据本专利技术的具有充放电控制电路的电池装置，无论在电平转换电路中采用哪种MOS晶体管，都能够防止在充电器连接时被破坏。另外，具有能够使用MOS晶体管的面积小的元件并能够减小布局面积的效果。附图说明图1是第一实施方式的具有充放电控制电路的电池装置的电路图。图2是第二实施方式的具有充放电控制电路的电池装置的电路图。图3是第三实施方式的具有充放电控制电路的电池装置的电路图。图4是现有的具有充放电控制电路的电池装置的电路图。标号说明1二次电池；2控制电路；3开关电路；8充电器；10放电控制开关；11充电控制开关；20充放电控制电路；71、74电平转换电路；201齐纳二极管；301二极管。具体实施方式以下，参照附图来说明本实施方式。<实施方式1>图1是第一实施方式的具有充放电控制电路的电池装置的电路图。第一实施方式的具有充放电控制电路的电池装置具备充放电控制电路20、二次电池1、控制二次电池1的充电与放电的开关电路3、与充电器8或负载9连接的外部端子4以及外部端子5。充放电控制电路20具备监视二次电池1的电压的控制电路2、PMOS晶体管401、408、409、NMOS晶体管402、410、电平转换电路71、反相器407、下拉电阻411、VDD端子、VSS端子、充电控制端子13、放电控制端子12和过电流检测端子14。电平转换电路71具备NMOS晶体管102、103、PMOS晶体管101和电阻104。开关电路3具备放电控制开关10和充电控制开关11。二次电池1的正极与VDD端子以及外部端子4连接，负极与VSS端子以及放电控制开关10的源极以及背栅连接。控制电路2的第一输入端子与VDD端子连接，第二输入端子与VSS端子连接，第一输出端子与PMOS晶体管401的栅极以及NMOS晶体管402的栅极连接，第二输出端子与放电控制端子12连接。PMOS晶体管401的源极与VDD端子连接，漏极与电阻104以及PMOS晶体管101的栅极连接。NMOS晶体管402的源极与VSS端子连接，漏极与PMOS晶体管101的栅极连接。NMOS晶体管103的栅极以及漏极与电阻104的另一个端子连接，源极与过电流检测端子14连接。PMOS晶体管101的源极与VDD端子连接，漏极与反相器407的输入以及NMOS晶体管102的漏极连接。NMOS晶体管102的栅极与NMOS晶体管103的栅极连接，源极与过电流检测端子14连接。PMOS晶体管408的栅极与反相器407的输出以及NMOS晶体管410的栅极连接，漏极与PMOS晶体管409的源极连接，源极与VDD端子连接。PMOS晶体管409的栅极与VSS端子连接，漏极与NMOS晶体管410的漏极以及下拉电阻411以及充电控制端子13连接。NMOS晶体管410的源极与过电流检测端子14连接，下拉电阻411的另一个端子与过电流检测端子14连接。放电控制开关10的栅极与放电控制端子12连接，漏极与充电控制开关11的漏极连接。充电控制开关11的栅极与充电控制端子13连接，源极以及背栅与外部端子5以及过电流检测端子14连接。控制电路2在二次电池1的电压下进行工作，监视二次电池1的电压。当二次电池1的电压小于过充电电压时，控制电路2向第一输出端子和第二输出端子输出高电平的信号，使PMOS晶体管401截止，使NMOS晶体管402导通，使放电控制开关10接通。从NMOS晶体管402输出低电平的信号，PMOS晶体管101导通，NMOS晶体管102截止，向反相器407输入高电平的信号。接受该信号，反相器407输出低电平的信号，使PMOS晶体管408导通，使NMOS晶体管410截止。因为PMOS晶体管409是导通的状态，所以向充电控制端子13输出高电平的信号，使充电控制开关11接通。这样，控制电路2以允许充电电流从而能够进行充电的方式工作。当二次电池1的电压增加而成为过充电电压以上时，控制电路2向第一输出端子输出低电平的信号，向第二输出端子输出高电平的信号，使PMOS晶体管401导通，使NMOS晶体管402截止。从NMOS晶体管401输出高电平的信号，PMOS晶体管101截止，NMOS晶体管102导通，向反相器407输入低电平的信号。接受该信号，反相器407输出高电平的信号，使PMOS晶体管408截止，使NMOS晶体管410导通。因为PMOS晶体管409是导通的状态，所以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种充放电控制电路，其控制连接在第一端子与第二端子之间的二次电池的充放电，其特征在于，所述充放电控制电路具备：控制电路，其连接在所述第一端子与所述第二端子之间，监视所述二次电池的电压；电平转换电路，其对所述控制电路输出的充电控制信号的电压进行电平转换；以及第三端子，其被输入待进行电平转换的所述电压，所述电平转换电路具备：第一导电型的第一晶体管，其栅极与所述电平转换电路的输入端子连接，源极与所述第一端子连接；第一电阻，其一个端子与所述电平转换电路的输入端子连接；第二导电型的第二晶体管，其栅极与所述第一电阻的另一端子连接，漏极与所述第一晶体管的漏极连接，源极与所述第三端子连接；以及第二导电型的第三晶体管，其栅极以及漏极与所述第一电阻的另一端子连接，源极与所述第三端子连接。

【技术特征摘要】
2013.02.06 JP 2013-0216301.一种充放电控制电路，其控制连接在第一端子与第二端子之间的二次电池的充放电，其特征在于，所述充放电控制电路具备：控制电路，其连接在所述第一端子与所述第二端子之间，监视所述二次电池的电压；电平转换电路，其对所述控制电路输出的充电控制信号的电压进行电平转换；以及第三端子，其被输入待进行电平转换的所述电压，所述电平转换电路具备：第一导电型的第一晶体管，其栅极与所述电平转换电路的输入端子连接，源极与所述第一端子连接；第一电阻，其一个端子与所述电平转换电路的输入端子连接；第二导电型的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：小池智幸，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP