【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种真空电子器中用于产生带状电子注的阴极，包括宽度和厚度以及前端到后端的长度合适的即合乎真空电子器件设计要求的导体薄片。当施加电压较高时，导体薄片前端电场强度大，将电子从导通薄片上拉出来，当施加电压再进一步增加时，导通薄片前端产生等离子体，强电场从等离子体中拉出更大的电流，形成带状电子注。当电流较大时，从等离子体中拉出来的电流不仅沿磁力线向前前进，向后流动的电流将会打在该斜面体上，从能量角度来说，向后电流打在该斜面体上电位没有变化，故而无能量损耗。本技术提出的真空电子器中用于产生带状电子注的阴极，具有效率高，电流大的特点。同时具有成本低，加工装配容易的优点。【专利说明】—种真空电子器件中用于产生带状电子注的阴极
本技术属于真空电子器件
，更为具体地讲，涉及行波管、返波管、返波振荡器、自由电子激光、奥罗管等真空电子器件中用于产生带状电子注的阴极。
技术介绍
随着科技的进步，对真空电子器件的需求趋向于更高的功率和频率，因此能够产生大功率，高频率输出的带状电子注真空电子器件成为了国内外的研究热点。然而，带状电子注行波管、返波管、...
【技术保护点】
一种真空电子器中用于产生带状电子注的阴极，其特征在于，包括：一导体薄片，其宽度和厚度、前端到后端的长度根据具体的真空电子器件的要求确定；前端与阳极相对应；一个由导体制成的返流控制斜面体，该斜面体具有两个斜面，均与导体薄片的后端连接，连接处为返流控制斜面体的前端，一个斜面自连接处向后延伸、向上倾斜，另一个斜面自连接处向后延伸、向下倾斜，斜面倾斜的角度根据实际情况进行调整；返流控制斜面体可以是实心的，也可以是空心的；返流控制斜面体的后端为电源负极连接端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王战亮，刘帅红，宫玉彬，魏彦玉，王少萌，许雄，冯进军，刘振邦，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：新型
国别省市：四川;51
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