一种掩膜板及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种掩膜板，包括：至少一层支撑基板，其中支撑基板设有多个开口；至少一层定位层，设置在所述支撑基板上，其中所述定位层设有对应所述支撑基板开口的贯穿开口，并与所述支撑基板开口连通；所述支撑基板开口截面的宽度尺寸与所述定位层的贯穿开口截面的宽度尺寸沿支撑基板一侧到定位层一侧的方向上分别逐渐递减。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板及其制造方法
本专利技术涉及显示工艺
，特别涉及一种掩膜板及其制造方法。
技术介绍
有机发光显示器（OLED），由于其具有宽视角、高对比度以及高响应速度等优点，得到了越来越多的关注。有机电致发光装置一般包括第一电极、有机发光层及第二电极。目前OLED制造工艺中，主要采用蚀刻法，即采用蒸镀工艺将有机发光材料沉积在基板上，形成有机发光层，该方法需要配套高分辨率掩膜板。为了降低制造成本，薄型掩膜板为较好的选择。为了实现高分辨率，提高控制精度，需要在掩膜板上制作小尺寸的开口。然而，蚀刻法具有以下缺陷：1.薄型掩膜板由于板材较薄，不容易精确地控制开口尺寸和开口位置，难以得到小尺寸开口；2.薄型掩膜板不易制作且成本高，使用的寿命也相对较短。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种掩膜板及其制造方法，其有效避免了由于现有技术的限制和缺陷导致的一个或更多的问题。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案之一为：一种掩膜板，包括：至少一层支撑基板，其中支撑基板设有多个开口；至少一层定位层，设置在所述支撑基板上，其中所述定位层设有对应所述支撑基板开口的贯穿开口，并与所述支撑基板开口连通；所述支撑基板开口截面的宽度尺寸与所述定位层的贯穿开口截面的宽度尺寸沿支撑基板一侧到定位层一侧的方向上分别逐渐递减。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案之二为：提供支撑基板，所述支撑基板具有两个相对的第一表面与第二表面；在所述支撑基板的第一表面形成光阻；在所述光阻上形成贯穿开口，以形成定位层；刻蚀所述支撑基板的第二表面形成与所述定位层开口对应的贯穿开口。本专利技术提供了一种掩膜板及其制造方法。所述掩膜板包括支撑基板和定位层。支撑基板用于支撑定位层，并增强掩膜板张网时的强度，以提高掩膜板使用寿命。另外，由于定位层设于支撑单元之上，该结构设计的掩膜板，只需增加一层膜厚，就能以更高的精度定义开孔尺寸、位置和开口角度，提高掩膜板的分辨率，因此在蒸镀时可以形成小尺寸的有机材料图型，提高了掩膜板的蒸镀精度。附图说明图1为本专利技术第一实施例中掩膜板的俯视图。图2为图1中沿L1-L1线的剖面示意图。图3为图1中掩膜板制造方法的流程示意图。图4（a）为图1中掩膜板制造方法的示意图。图4（b）为图1中掩膜板制造方法的示意图。图4（c）为图1中掩膜板制造方法的示意图。图4（d）为图1中掩膜板制造方法的示意图。图4（e）为图1中掩膜板制造方法的示意图。图4（f）为图1中掩膜板制造方法的示意图。图5为本专利技术第二实施例中掩膜板的局部剖面示意图。图6为本专利技术第三实施例中掩膜板的俯视图。图7为图6中沿L2-L2线的剖面示意图。图8为本专利技术第四实施例中掩膜板的局部剖面示意图。附图标记说明：掩膜板-100、100a；支撑基板-10、10a；支撑基板开口-12、12a；支撑基板实体部分-14、14a；支撑基板第一表面-A；支撑基板第二表面-B；定位层-20、20a；定位层贯穿开口-22、22’、22a、22a’；定位层实体部分-24、24’、24a、24a’；第一表面面光阻-30；光刻胶层-40；光栅-42；步骤-S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7；滚轮刷-R；光罩-M1、M2；显影装置-D；蚀刻装置-E；蚀刻线-e；高度差-H。具体实施方式本专利技术第一实施例所揭示的掩膜板100及其制造方法，请参考图1至图4（f）。结合图1和图2所示，图1绘示了掩膜板100的整体结构。由于视图角度，图1中主要示出了定位层20。图2绘示了图1中沿L1-L1线的掩膜板100的剖视图，为掩膜板100的部分剖面结构示意图。掩膜板100包括支撑基板10和定位层20。支撑基板10是因瓦合金（Invar，镍铁合金）层，厚度范围是30～60μm，优选的厚度为40μm。支撑基板10端面上设有多个开口12，支撑基板10上未设开口12的区域为实体部分14。开口12在截面上呈弧形。请参考图2，所述截面定义为沿着支撑基板10的顶面到底面的方向所剖示的图。定位层20黏贴于支撑单元10之上。定位层20是高分子材料，能够耐受180℃以上的高温。例如采用聚酰亚胺，并将其厚度设为4～8μm。定位层20包括实体部分24和多个贯穿开口22。其中，定位层20端面在对应支撑基板开口12的位置上一一地设置贯穿开口22，这些贯穿开口在截面上呈梯形；定位层20上未设贯穿开口22的区域为实体部分24。所述截面定义为沿着定位层20顶面到底面的方向所剖示的面。支撑基板开口12和定位层贯穿开口22的结构设计为：开口12和贯穿开口22的截面的宽度尺寸沿着从支撑基板10一侧到定位层20一侧的方向逐渐递减，并且开口12截面的最小宽度尺寸大于贯穿开口22截面的最大宽度尺寸。支撑基板开口12的截面形状不限于弧形，还可以是梯形。同样的，定位层贯穿开口22的截面不限于为梯形，还可以设计为弧形。虽然本专利技术第一实施例中的支撑基板10只有一层，但是不限于此，根据实际需求，可以是两层或者更多层。本专利技术第一实施例所提供的掩膜板100，其包括支撑基板10和定位层20。支撑基板10采用因瓦合金，用于支撑定位层20，并增强掩膜板100张网时的强度，以提高使用寿命。定位层20设于支撑基板10之上。该结构设计的掩膜板，只需增加一层膜厚（4～8μm的定位层），就能以更高的精度定义开孔尺寸、位置和开口角度，提高了掩膜板100的分辨率，因此在蒸镀时可以形成小尺寸的有机材料图型，提高了掩膜板100的蒸镀精度。请参考图3、图4（a）至图4（f），绘示了本专利技术第一实施例中掩膜板100的制造方法。虽然掩膜板100上设有多个相互贯通的开口12、贯穿开口22，但为了描述方便，图4（a）至图4（f）只绘示掩膜板上开设一对开口12和贯穿开口22时的示意图。步骤S1，选取厚度40μm的因瓦合金作为支撑基板10，对其进行预处理。支撑基板10具有两个相对的第一表面A和第二表面B。步骤S2，如图4（a）所示，清洗基板10的第一表面A，然后选取厚度为4～8μm的聚酰亚胺，使用滚轮刷R将所述聚酰亚胺涂布于支撑基板10的第一表面A，形成第一表面面光阻30。为了简化制程，将第一表面光阻30设为负性光阻。步骤S3，图案化A面光阻30。请结合图4（b）和图4（c），利用了光罩M1、显影装置D和烘烤装置（图中未绘示），对第一表面光阻30依次进行曝光、显影和烘烤工序。由于第一表面光阻30是负性光阻，因此，在第一表面光阻30上对应光罩M1处形成了贯穿开口22，以形成定位层20。本制造方法中，贯穿开口22为梯形，因此其开口截面沿着从支撑基板10一侧到定位层20一侧的方向逐渐递减。步骤S4，图4（d），清洗支撑基板10的第二表面B，在第二表面B上形成光刻胶层40。光刻胶层40为UV感光材料，并将其设为正性光阻。步骤S5，图案化光刻胶层40。结合图4（d）和图4（e），利用光罩M2以及显影装置D，对涂布了光刻胶层40的第二表面B依次进行曝光和显影工序，以在第二表面B形成光栅结构，图中由4个光栅42形成一个光栅结构。实际使用中，可以根据具体需求，调整光栅32的参数，如尺寸、数量以及每两个相邻光栅32间距。步骤S6，图4（e），预设合适的蚀刻速率，根据光栅32的尺寸、数量及间距等参数，设计出蚀刻线e。蚀刻装置E沿着蚀刻线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜板，包括：至少一层支撑基板，其中支撑基板设有多个开口；至少一层定位层，设置在所述支撑基板上，其中所述定位层设有对应所述支撑基板开口的贯穿开口，并与所述支撑基板开口连通；所述支撑基板开口截面的宽度尺寸与所述定位层的贯穿开口截面的宽度尺寸沿支撑基板一侧到定位层一侧的方向上分别逐渐递减。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板，包括：至少一层支撑基板，其中支撑基板设有多个开口；至少一层定位层，设置在所述支撑基板上，其中所述定位层设有对应所述支撑基板开口的贯穿开口，并与所述支撑基板开口连通；所述支撑基板开口截面的宽度尺寸与所述定位层的贯穿开口截面的宽度尺寸沿支撑基板一侧到定位层一侧的方向上分别逐渐递减，且所述支撑基板开口截面的最小宽度尺寸大于所述定位层贯穿开口截面的最大宽度尺寸；所述定位层为分离间隔的多个，分别对应设置于所述支撑基板各个开口的位置上；所述定位层的顶面与支撑基板顶面在垂直中心轴线上形成高度差。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述支撑基板开口的截面的宽度尺寸大于所述定位层的贯穿开口截面的宽度尺寸。3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述定位层具有多层，其中，多层所述定位层的贯穿开口相互贯穿，且所述定位层的贯穿开口截面的宽度尺寸沿远离所述支撑基板一侧到接近所述支撑基板一侧的方向上逐层递增。4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述支撑基板和定位层开口的截面呈梯形或弧形。5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述支撑基板为因瓦合金。6.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述支撑基板厚度为30～60μm。7.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶添昇，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35