一种有机电致发光装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种有机电致发光装置及其制备方法。本发明专利技术制备的有机电致发光装置采用了透明导电氧化物薄膜作为阴极和阳极，并且在有机发光功能层和阴极间设置pn结层，pn结层包括依次层叠的第一金属层、半导体层、第二金属层，从而提高电子注入能力，获得稳定、均匀的发光效果。本发明专利技术的制备方法工艺简单、无污染、易于控制、利于工业化生产。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供。本专利技术制备的有机电致发光装置采用了透明导电氧化物薄膜作为阴极和阳极，并且在有机发光功能层和阴极间设置pn结层，pn结层包括依次层叠的第一金属层、半导体层、第二金属层，从而提高电子注入能力，获得稳定、均匀的发光效果。本专利技术的制备方法工艺简单、无污染、易于控制、利于工业化生产。【专利说明】
本专利技术属于有机电致发光
，具体涉及。
技术介绍
有机电致发光装置是一种以有机材料为发光材料，能把施加的电能转化为光能的能量转化装置。它具有超轻薄、自发光、响应快、低功耗等突出性能，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。有机电致发光装置具有多种结构，例如顶发射发光装置、倒置型发光装置。目前应用于显示装置的大部分有机电致发光装置都是单面出光的照明或者显示器件，只有少部分双面发光的有机电致发光装置。现有技术中，可实现双面发光的效果的有机电致发光装置，通常使用具有透过率高、导电性好等优点的透明导电氧化物薄膜作为阳极，使用薄层金属制备阴极，阴极光透过率只有60%~70%，使得发光装置的两个发光面的发光强度不一致。若将透明导电氧化物薄膜作为阴极，由于其功函数较高，会降低电子向有机发光层的注入能力，电子注入能力是决定有机电致发光装置发光亮度和发光效率的主要因素之一，因此，较低的电子注入能力会导致有机电致发光装置性能差、发光效率低。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术旨在提供。本专利技术制备的有机电致发光装置采用了透明导电氧化物薄膜作为阴极和阳极，并且通过设置PU结层提高电子注入能力，从而获得稳定、均匀的发光效果。本专利技术的制备方法工艺简单、无污染、易于控制、利于工业化生产。解决本专利技术的技术问题所采取的技术方案是:提供一种有机电致发光装置，包括依次层叠的衬底基板、阳极、有机发光功能层、Pn结层、阴极，所述pn结层包括依次层叠的第一金属层、半导体层、第二金属层，所述第一金属层的金属表面功函数小于等于4.3eV,所述半导体层的材质选自AgO、Ti02、NiO或Ta2O5,所述第二金属层的金属表面功函数大于等于 5.1eV0阳极和阴极的材质均为透明导电氧化物薄膜。透明导电氧化物薄膜具有透过率高、导电性好等优点，使得有机电致发光装置的两面均具有较高的光透率，均匀的发光亮度。优选地，透明导电氧化物薄膜的材质为铟锡氧化物(ΙΤ0)、铟锌氧化物(ΙΖ0)、铝锌氧化物(AZO)或镓锌氧化物(GZO)。优选地，阳极的厚度为7(T200nm。优选地，阴极的厚度为7(T200nm。 优选地，第一金属层的材质选自Ag、Al、Mg或Sm。第一金属层的金属表面功函数小于等于4.3eV，才能更好地降低注入势垒，将电子有效地注入有机发光功能层中。 优选地,第一金属层的厚度为8?15nm。半导体层的材质选自Ag0、Ti02、Ni0或Ta2O5，具有半导体性质，夹在两个不同功函数的金属之间，使两个功函数不同的金属在外部电场下，形成一个内建电场，从而使金属氧化物内部的空穴和电子分离，分别注入到相邻的两种金属材料中。优选地，半导体层的厚度为l?4nm。优选地，第二金属层的材质为Au、Cu、Pt或Ni。由于第二金属层直接接触透明导电氧化物薄膜，通常透明导电氧化物薄膜的功函数为4.7?5.1eV,为了降低注入的势垒，第二金属层的金属表面功函数大于等于5.1eV,选用的金属的功函数接近透明导电氧化物薄膜的功函数，会获得较好的注入效果。优选地，第二属层的厚度为8?15nm。形成pn结需要有两种费米能级有差异的材料，两种材料的费米能级差别越大，pn结的电荷分离效果越好，对于金属而言，费米能级直接与功函相关，因此选择低功函数的金属作为第一金属层，高功函数的金属作为第二金属层。在外部电场的作用下，位于pn结层中间的半导体金属氧化物内部形成电荷分离，空穴和电子分别向第二金属层和第一金属层移动，从而使电子从第一金属层直接注入到有机发光功能层中，而阴极的透明导电氧化物薄膜与第二金属层的接触属于两种导体的接触，不存在注入势垒的问题，因此大大提高了电子注入效率。电子注入与空穴注入的平衡，可以提高空穴和电子在发光层中的复合几率及发光量子效率，最终获得具有较高发光性能的有机电致发光装置。优选地，衬底基板为玻璃基板。优选地，有机发光功能层包括发光层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层和空穴传输层。有机发光功能层中各层的材质为本领域中常用的材质。优选地，发光层的主体材料选自4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、双(2-甲基_8_羟基喹啉-NI，08) - (1，I’ -联苯-4-羟基)铝(BAlq)、4_(二腈甲烯基)-2_异丙基_6-(1，1,7, 7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、5，6，11，12-四苯基萘并萘(Rubrene)、4，4’_ 二(2，2- 二苯乙烯基)-1，I’-联苯(DPVBi)、双(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2 )吡啶甲酰合铱(FIrp i c )、双(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)、双(4，6-二氟-5-氰基苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酸合铱(FCNIrpic)、二(2' ,4' -二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合铱(FIrN4)、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (MDQ) 2 (acac) )、二( 1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (piq) 2 (acac))、乙酰丙酮酸二(2_苯基卩比唳)铱(Ir (ppy) 2 (acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq) 3)和三(2-苯基卩比唳)合铱(Ir (ppy) 3)中的一种或几种。优选地，发光层的材质为将一种或两种客体材料按照掺杂质量分数5?15%掺杂到主体材料中形成的混合材料，其中客体材料为空穴传输材料或电子传输材料。优选地，发光层的厚度为10?20nm。优选地，空穴传输材料包括酞菁锌(ZnPc)、酞菁铜(CuPc)、酞菁氧钒(VOPc)、酞菁氧钛(TiOPc)、酞菁钼(PtPc)、4，4’，4〃 -三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、4，4’，4 "-三(1-萘基苯基氨基)三苯基胺(1-TNATA)、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，1’-联苯-4，4’-二胺(咿8)、队& -二(α-萘基)-N，N' - 二苯基-4，4'-联苯胺(a -NPD)、4，4’，4 "-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-1，I’-联苯-4，4’-二胺(TPD)、N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)_对二氨基联苯(MeO-Tro)、2，7-双(N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基)_9，9-螺二芴(MeO-Sprio-TPD),4, 4', 4 ;/ -三(咔唑 _9_ 基)三苯胺(TCTA)、1，1-二(4-(N，N' -二(P-甲苯基)氨基)苯基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光装置，其特征在于，包括依次层叠的衬底基板、阳极、有机发光功能层、pn结层、阴极，所述pn结层包括依次层叠的第一金属层、半导体层、第二金属层，所述第一金属层的金属表面功函数小于等于4.3eV，所述半导体层的材质选自AgO、TiO2、NiO或Ta2O5，所述第二金属层的金属表面功函数大于等于5.1eV。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，冯小明，钟铁涛，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44