本发明专利技术提供一种压延铜箔，由铜或铜合金的结晶粒构成，构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径为0.2μm以上6μm以下，构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径相对于所述压延铜箔的厚度的比率为1％以上6％以下，且通过EBSD(electron backscatter diffraction：电子背散射衍射)方法对所述压延铜箔的垂直于长度方向的剖面进行解析后，根据下式(1)所计算的粒内变形率在0.5％以上10％以下：式(1)粒内变形率(％)＝(A)/(B)×100(上述式(1)中，(A)表示通过图像解析识别出的取向差在1度以上15度以下的区域的面积，(B)表示通过图像解析识别出的取向差在0度以上15度以下的区域的面积)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压延铜箔
本专利技术涉及一种由铜或者铜合金的结晶粒构成的压延铜箔，尤其是涉及一种用于在汽车零部件等产品中重复进行弯曲运动的挠性扁平电缆等的压延铜箔。
技术介绍
挠性扁平电缆(FFC)由于厚度薄且挠性优秀的特点，安装于电子设备等产品时，对于形态的限制少，自由度高，被广泛用于各种用途。例如，被用于构成汽车安全气囊系统的转向杆连接器(SRC)、折叠式手机的折弯部、数码照相机、打印头等可动部、HDD (HardDisk Drive:硬盘驱动器)、DVD (Digital Versatile Disc:数字多功能光盘)、⑶(CompactDisk:高密度磁盘)等光盘相关机器可动部的配线等，用途广泛。另外，在挠性扁平电缆的导体部分一直以来广泛使用压延铜箔。这里，在日本专利特开2009-048819号公报中，公开了一种平角导体，所述导体由导电率95%以上、Cu浓度99.9%以上的纯铜构成，其拉伸强度在350Mpa以上400Mpa以下的范围中。该平角导体用于可能达到85°C以上高温环境的汽车等领域，能够降低价格并维持导体强度。此外， 日本专利特开2010-150578号公报中，公开了一种压延铜箔，其为最终冷轧压延工序之后、再结晶退火之前的压延铜箔，在以压延面为基准进行X射线衍射极图测量后得到的铜结晶{220}Cu面衍射的正极图中，在α角度为40~50°的范围内，存在由结晶粒群引起的衍射峰值，所述结晶粒群具有4次对称性，以β角度的至少90±5°为单位存在，进而，还存在由其他结晶粒群引起的衍射峰值，所述其他结晶粒群具有4次对称性，以β角度的至少90±10°为单位存在。该日本专利特开2010-150578号中，为满足挠性印刷配线板等的挠性配线构件需要更高弯曲特性的要求，提供了一种具有优秀弯曲特性的压延铜箔。日本专利特开2001-262296号公报中，公开了一种压延铜箔的制造方法，该压延铜箔是对韧铜或无氧铜的铸块进行热轧压延后，反复进行冷轧压延和退火，最终通过冷轧压延形成的厚度在0.0050mm以下的压延铜箔，该制造方法中，依次进行以下工序:(I)加工度90%以上的冷轧压延；(2) 150~250°C炉温下I~10小时的再结晶退火，或500°C~800°C炉温下5~60秒的再结晶退火；(3)加工度5~40%的冷轧压延，该压延铜箔在经过再结晶退火后立方织构极度发达。该日本专利特开2001-262296号提供的也是适合作为挠性印刷电路基板等的挠性配线构件使用的铜箔。专利技术概要专利技术拟解决的问题然而，日本专利特开2009-048819号的导体在结晶粒内有轻度的加工变形，因此有在高温环境下弯曲疲劳时容易很快出现破断的问题。而在日本专利特开2010-150578号中，为了获得最终的平角导体，是通过对铜条进行连续压延来制造，因此与在最终阶段对拉线加工得到的圆线进行压延的制造方法相t匕，存在成本高的问题。此外，在日本专利特开2001-262296号中，除了压延铜条以及反复进行冷轧加工和退火所造成的高成本化问题，还存在平均粒径过大，达到5μπι~30μπι，以及不满足FFC所需强度以及弯曲特性的问题。本专利技术鉴于上述事实开发完成，目的在于提供一种压延铜箔，当受到反复的弯曲变形时，也能抑制裂纹的产生。
技术实现思路
本专利技术通过以下方法解决上述课题。 〈1> 一种压延铜箔，由铜或铜合金的结晶粒构成，构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径为0.2μπι以上6μπι以下，构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径相对于所述压延铜箔的厚度的比率为I %以上6 %以下，且通过EBSD (electron backscatterdiffraction:电子背散射衍射)方法对所述压延铜箔的垂直于长度方向的剖面进行解析后，根据下式(I)所计算的粒内变形率在0.5%以上10%以下:式(I)粒内变形率) = (A)/⑶XlOO(上述式(I)中，(A)表示通过图像解析识别出的取向差在I度以上15度以下的区域的面积，(B)表示通过图像解析识别出的取向差在O度以上15度以下的区域的面积)。<2>如上述〈1>所述的压延铜箔，其中，构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径相对于所述压延铜箔的厚度的比率为1%以上2%以下。<3>如上述〈1>所述的压延铜箔，其中，构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径相对于所述压延铜箔的厚度的比率为超过2%且低于3%。<4>如上述〈1>所述的压延铜箔，其中，构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径相对于所述压延铜箔的厚度的比率为3%以上6%以下。<5>如所述〈1>~〈4>中任一项所述的压延铜箔,通过对圆线型的铜材进行压延做成箔状的方法制作而成。〈6>如所述〈1>~〈5>中任一项所述的压延铜箔，其中，所述压延铜箔的厚度为0.02mm以上0.1mm以下。专利技术效果根据本专利技术，可以提供一种压延铜箔，即使反复施加弯曲变形，也能够抑制裂纹的产生。【附图说明】图1是根据压延铜箔的EBSD解析，以横轴表示相邻区域的取向差，以纵轴表示具有该取向差的区域的比例，所做图表的一例。图2是根据压延铜箔的EBSD解析，以横轴表示相邻区域的取向差，以纵轴表示具有该取向差的区域的比例，所做图表的一例。图3是用于说明本专利技术实施方式所述压延铜箔的制造方法的概略图。图4是表示本专利技术实施方式所述压延铜箔的概略立体图。图5是表示在实施例中的耐弯曲性试验中使用的弯曲试验机上固定压延铜箔的状态的概略图。【具体实施方式】本专利技术所述压延铜箔由铜或铜合金的结晶粒构成，且满足以下要件。.构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径为0.2 μ m以上6 μ m以下.相对于所述压延铜箔的厚度，构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径的比率为1%以上6%以下?通过EBSD(electron backscatter diffraction)方法对所述压延铜箔的垂直于长度方向的剖面进行解析后，根据下式(I)所计算的粒内变形率在0.5%以上10%以下式(I)粒内变形率(% ) = (A)/⑶XlOO(上述式(I)中，(A)表示通过图像解析识别出的取向差在I度以上15度以下的区域的面积，(B)表示通过图像解析识别出的取向差在O度以上15度以下的区域的面积)如上所述，本专利技术所述压延铜箔的粒内变形率为0.5%以上10%以下。该粒内变形率如所述式(I)所示，是指取向差在I度以上15度以下的区域与取向差在O度以上15度以下的区域的面积比，在被认为是粒内变形的取向差O度以上15度以下的区域中，取向差在O度以上并小于I度的区域占据大半，表示取向差在I度以上15度以下的比率非常小。即，构成压延铜箔的结晶几乎没有粒内变形。此外，如上所述，构成最外层表面的结晶粒的平均粒径为0.2 μ m以上6 μ m以下，且构成最外层表面的结晶粒的平均粒径相对于压延铜箔厚度的比率为1%以上6%以下，最外层表面的结晶粒的粒径非常小。满足上述构成的本专利技术所述压延铜箔即使被反复施加弯曲变形，也可抑制裂纹的产生，从而延长寿命。一粒内变形率一本专利技术中，通过EBSD(electron backscatter diffraction)方法对垂直于压延铜箔长度方向的剖面进行本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种压延铜箔，由铜或铜合金的结晶粒构成，构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径为0.2μm以上6μm以下，构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径相对于所述压延铜箔的厚度的比率为1％以上6％以下，且通过EBSD(electron backscatter diffraction：电子背散射衍射)方法对所述压延铜箔的垂直于长度方向的剖面进行解析后，根据下式(1)所计算的粒内变形率在0.5％以上10％以下:式(1)粒内变形率(％)＝(A)/(B)×100上述式(1)中，(A)表示通过图像解析识别出的取向差在1度以上15度以下的区域的面积，(B)表示通过图像解析识别出的取向差在0度以上15度以下的区域的面积。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.11.11 JP 2011-2480971.一种压延铜箔，由铜或铜合金的结晶粒构成， 构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径为0.2 μ m以上6 μ m以下， 构成最外层表面的所述结晶粒的平均粒径相对于所述压延铜箔的厚度的比率为1%以上6%以下， 且通过EBSD (electron backscatter diffraction:电子背散射衍射)方法对所述压延铜箔的垂直于长度方向的剖面进行解析后，根据下式(I)所计算的粒内变形率在0.5%以上10%以下: 式(1)粒内变形率(% ) = (A)/(B) XlOO 上述式⑴中，㈧表示通过图像解析识别出的取向差在I度以上15度以...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉田和生，相宫奈央子，浅见和彦，西田龙司，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，古河AS株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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