一种蓝延伸指数掺杂透射式GaAs光电阴极及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种蓝延伸指数掺杂透射式GaAs光电阴极及其制备方法。该阴极自下而上由高质量n型GaAs衬底、p型Ga1-yAlyAs阻挡层、p型指数掺杂的GaAs发射层、Al组分变化的p型Ga1-xAlxAs窗口层和p型GaAs保护层组成；其中，p型指数掺杂GaAs发射层为3个以上单元分层结构，掺杂浓度按内建电场增长型指数掺杂分布，从后界面处单元分层的1.0×1019cm-3下降到发射表面处单元分层的1.0×1018cm-3；p型Ga1-xAlxAs窗口层中Al组分是变化的，自下向上由0逐渐增加到0.9。本发明专利技术通过采用Al组分变化的窗口层和指数掺杂的发射层，构建了阴极体内两级内建电场，从而改善后界面特性，增强短波光吸收，降低后界面电子复合影响，提高短波光电子的发射效率，最终达到蓝延伸目的。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了。该阴极自下而上由高质量n型GaAs衬底、p型Ga1-yAlyAs阻挡层、p型指数掺杂的GaAs发射层、Al组分变化的p型Ga1-xAlxAs窗口层和p型GaAs保护层组成；其中，p型指数掺杂GaAs发射层为3个以上单元分层结构，掺杂浓度按内建电场增长型指数掺杂分布，从后界面处单元分层的1.0×1019cm-3下降到发射表面处单元分层的1.0×1018cm-3；p型Ga1-xAlxAs窗口层中Al组分是变化的，自下向上由0逐渐增加到0.9。本专利技术通过采用Al组分变化的窗口层和指数掺杂的发射层，构建了阴极体内两级内建电场，从而改善后界面特性，增强短波光吸收，降低后界面电子复合影响，提高短波光电子的发射效率，最终达到蓝延伸目的。【专利说明】—种蓝延伸指数掺杂透射式GaAs光电阴极及其制备方法
本专利技术涉及微光夜视探测材料
，具体涉及一种基于半导体材料外延技术、半导体材料掺杂技术和超高真空表面激活技术相结合的蓝延伸指数掺杂透射式GaAs光电阴极及其制备方法。
技术介绍
负电子亲和势GaAs光电阴极作为一种基于外光电效应的光电发射材料,具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蓝延伸指数掺杂透射式GaAs光电阴极，其特征在于：所述GaAs光电阴极自下而上由高质量的n型GaAs衬底、p型Ga1‑yAlyAs阻挡层、p型指数掺杂的GaAs发射层、Al组分变化的p型Ga1‑xAlxAs窗口层以及p型GaAs保护层组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张益军，常本康，冯琤，钱芸生，富容国，张俊举，刘磊，陈鑫龙，徐源，郝广辉，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32