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本发明公开了一种蓝延伸指数掺杂透射式GaAs光电阴极及其制备方法。该阴极自下而上由高质量n型GaAs衬底、p型Ga1-yAlyAs阻挡层、p型指数掺杂的GaAs发射层、Al组分变化的p型Ga1-xAlxAs窗口层和p型GaAs保护层组成；其...
该专利属于南京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京理工大学授权不得商用。

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