基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性AlN纳米线生长中工艺复杂、生长效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-20nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铝源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性AlN纳米线。本发明专利技术具有工艺简单，高生长效率，高质量的优点，可用于制作高性能极性AlN纳米器件。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料，自下而上包括m面GaN衬底层(1)和极性AlN纳米线层(3)，该极性AlN纳米线层(3)中含有若干条平行于衬底、方向一致且长度不等的纳米线，其特征在于在m面GaN衬底层(1)与极性AlN纳米线层(3)之间设有1‑20nm厚的TiN层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姜腾，许晟瑞，郝跃，张进成，张金风，林志宇，雷楠，陆小力，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61