有机发光二极管显示器及其制造方法技术

根据实施例的有机发光二极管显示器及其制造方法，包括：基板；在基板上方的氧化物半导体层；在氧化物半导体层上方的平坦化层；在平坦化层上方的发光二极管；在发光二极管上方的钝化层；和在平坦化层和钝化层之间的氢阻挡层，用以阻挡氢自钝化层扩散向氧化物半导体层。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】根据实施例的，包括：基板；在基板上方的氧化物半导体层；在氧化物半导体层上方的平坦化层；在平坦化层上方的发光二极管；在发光二极管上方的钝化层；和在平坦化层和钝化层之间的氢阻挡层，用以阻挡氢自钝化层扩散向氧化物半导体层。【专利说明】本申请要求分别于2012年12月21日和2013年6月28日提交的韩国专利申请10-2012-0150716和10-2013-0075523的权益，在此通过参考将其并入本文。
本专利技术涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器，更特别地，涉及一种包括氧化物半导体层的OLED显不器。
技术介绍
新型平板显示器的OLED显示器具有高亮度和低驱动电压。OLED显示器为自发光型且具有卓越特性，诸如视角、对比度和响应时间。此外，在制造成本方面具有巨大优势。OLED显示器的制造工艺非常简单且需要沉积装置和封装装置。OLED显示器包括位于像素区中的多个子像素区(pixel sub-region)。在每个子像素区中，形成开关薄膜晶体管(TFT)和驱动TFT。通常，通过使用非晶硅作为半导体材料形成TFT。目前，为了满足大尺寸和高分辨率的需求，需要包括具有更快信号处理、更稳定操作和更耐用的TFT的OLED显示器。但是，使用非晶硅的TFT具有相对较低的迁移率，例如低于lcmVVsec，且对于大型且高分辨率的OLED显示器存在限制。因此，可使用包括氧化物半导体材料有源层的氧化物TFT以避免这些不足中的部分不足，所述氧化物TFT具有卓越电特性,诸如迁移率和关断电流(off current)。图1是根据现有技术的OLED显示器的截面图。如图1中所示，OLED显示器10包括第一和第二基板20和56、在第一基板20上的驱动TFT Td和发光二极管D、和覆盖第一和第二基板20和56之间整个表面的密封层54。彼此面对且分开的第一和第二基板20和56包括位于像素区中的多个子像素区。第一基板20可称作下基板、TFT基板或者背板。第二基板56可称作封装基板。栅极22形成在第一基板20上，栅极绝缘层24形成在栅极22上。与栅极22对应的氧化物半导体层26形成在栅极绝缘层24上，蚀刻停止层28形成在氧化物半导体层26上。此外，源极30和漏极32形成在蚀刻停止层28和氧化物半导体层26的两端。栅极22、氧化物半导体层26、源极30和漏极32构成了驱动TFT Td0第一钝化层34形成在驱动TFT Td上，滤色层36形成在第一钝化层34上且位于每个子像素区中。平坦化层38形成在滤色层36上以去除台阶差，与滤色层36对应的第一电极40形成在平坦化层38上。经由第一钝化层34和平坦化层38形成暴露出驱动TFT Td的漏极32的漏极接触孔，经由漏极接触孔将第一电极40连接到漏极32。覆盖第一电极40边缘的堤岸层44形成在第一电极40上。换句话说，堤岸层44包括开口以便暴露出第一电极40的中心。经由堤岸层44的开口接触第一电极40的发光层46形成在堤岸层44上，第二电极48形成在发光层46上。第一电极40、发光层46和第二电极48构成发光二极管D。此外，第二钝化层52形成在发光二极管D上。密封层54形成在第二钝化层52和第二基板56的整个表面上以使第一和第二基板20和56贴附到一起。在根据现有技术的OLED显示器中，通过第二钝化层52防止外部湿气和颗粒的影响导致对发光二极管D的损害。如上所述，第二钝化层52形成在第一基板20整个表面上方，且第二钝化层52覆盖像素区。通过等离子体化学气相沉积(PCVD)装置或者诸如溅射的物理气相沉积(PVD)装置形成第二钝化层52。例如，第二钝化层52可以是在PCVD装置中形成的氮化硅(SiNx)层、氮氧化硅(SiON)层或者氧化硅(SiOx)层或者是在溅射中形成的氧化铝(AlOx)层。但是，当第二钝化层52在PCVD装置或者PVD装置中由硅化物形成时，应在低温(例如低于约IO(TC)下执行沉积工艺以防止发光层46热退化。由于低工艺温度，导致源气体不完全反应和在第二钝化层52中产生来自源气体，诸如硅烷(SiH4)气体或氨(NH3)气的氢(H)残留。氢残留经由平坦化层38和第一钝化层34扩散到驱动TFT Td的氧化物半导体层26中，由此产生氧化物半导体层26的氧化物半导体材料的还原过程。引起驱动TFT Td的阈值电压偏移(threshold voltage shift)的氧化物半导体还原的结果是，产生图像亮度差异并降低了 OLED显示器的显示质量。此外，当OLED显示器长时间操作时，由驱动TFT Td的阈值电压偏移产生的过多电流会导致对OLED显示器的热损伤。
技术实现思路
因此，本专利技术涉及到一种OLED显示器，其基本避免了由于现有技术的限制和不足导致的一个或多个问题。在下文描述中将列出本专利技术的其他特征和优势，根据该描述所述特征和优势的一部分是显而易见的或者是通过实践本专利技术获知。通过所撰写的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构，可认识到或获得本专利技术的这些和其他优势。根据本专利技术，如本文所体现并广泛描述的，一种根据本专利技术实施例的有机发光二极管显示器包括:基板；在基板上的栅极线、数据线和电源线，栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区；在像素区中的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上的第一钝化层；在钝化层上方并在像素区中的发光二极管；在发光二极管上方的第二钝化层；和在薄膜晶体管和第二钝化层之间的氢阻挡层。另一方面，一种制造有机发光二级管显示器的方法包括:在基板上形成栅极线、数据线和电源线，栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区；在像素区中形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成第一钝化层；在第一钝化层上方形成氢阻挡层，所述氢阻挡层对应于薄膜晶体管；在钝化层上方形成发光二极管；和在发光二极管上方形成第二钝化层。另一方面，一种制造有机发光二级管显示器的方法包括:在基板上形成栅极线、数据线和电源线，栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区；在像素区中形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成第一钝化层；在钝化层上方形成发光二极管；在发光二极管上形成氢阻挡层；和在发光二极管上方形成第二钝化层。另一方面，一种有机发光二极管显示器包括:基板；在基板上的栅极线、数据线和电源线，栅极线和数据线彼此交叉以限定多个像素区；在像素区中的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上方的平坦化层；在每个像素区中在平坦化层上的第一电极；在第一电极上的发光层；在发光层上且覆盖多个像素区的第二电极；在第二电极上的第二钝化层；和覆盖在第二钝化层和第二电极之间暴露的平坦化层的氢阻挡层。应当理解，上文的一般描述和下文的具体描述都是示意性和说明性的，意在提供如所要求保护的本专利技术的进一步解释。【专利附图】【附图说明】本文包括附图以提供专利技术的进一步理解，附图结合到说明书中并构成说明书的一部分，附图示出了本专利技术的实施例并与文字描述一起用于解释本专利技术的原理。图1是根据现有技术的OLED显示器的截面图。图2是根据本专利技术第一实施例的OLED显示器的实例的平面图。图3是沿着图2的线II1-1II取得的截面图。图4是示出根据本专利技术用于OLED显示器的氢阻挡层材料实例的氢溶度(hydrogensolubility)的图表。图5是根据本专利技术第二实施例的OLED显示器的实例的截面图。图6是根据本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，包括：基板；在基板上方的氧化物半导体层；在氧化物半导体层上方的平坦化层；在平坦化层上方的发光二极管；在发光二极管上方的钝化层；和在平坦化层和钝化层之间的氢阻挡层，用以阻挡氢自钝化层扩散至氧化物半导体层。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：琴都映，李俊昊，申荣训，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR