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可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅制造技术

技术编号:10150006 阅读:166 留言:0更新日期:2014-06-30 18:02
可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅,它涉及一种可控硅串联补偿器用双向可控硅,具体涉及一种可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅。本实用新型专利技术包括连接板、插板、防盗锁、锁销和两个锁片,连接板为长方形板体,双向可控硅主体的上表面与连接板下表面的中部固定连接,连接板一端端面设有插槽,连接板的每一端分别各设有一个沉孔,插板插装在插槽内,连接板一端端面由上至下依次设有两个锁片,锁销右下至上依次穿过两个锁片,防盗锁与锁销的上端连接。本实用新型专利技术用于可控硅串联补偿器上。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅,它涉及一种可控硅串联补偿器用双向可控硅,具体涉及一种可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅。本技术包括连接板、插板、防盗锁、锁销和两个锁片,连接板为长方形板体,双向可控硅主体的上表面与连接板下表面的中部固定连接,连接板一端端面设有插槽,连接板的每一端分别各设有一个沉孔,插板插装在插槽内,连接板一端端面由上至下依次设有两个锁片,锁销右下至上依次穿过两个锁片,防盗锁与锁销的上端连接。本技术用于可控硅串联补偿器上。【专利说明】可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅
本技术涉及一种可控硅串联补偿器用双向可控硅,具体涉及一种可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅。
技术介绍
由于可控硅串联补偿装置可以快速、连续、平滑地改变电力系统中输电线路的阻抗,较传统的固定电容补偿装置具有明显的优越性,可以较大的提高输电线路的功率传输能力和电力系统的稳定水平,所以在电力系统中具有广泛的应用前景,已经逐步应用于实际电力系统中。现有可控硅串联补偿器用双向可控硅一般通过螺栓安装在补偿器上,防盗性能较差,经常被不法分子偷窃。
技术实现思路
本技术为解决现有可控硅串联补偿器用双向可控硅防盗性能较差,经常被盗的问题,进而提出可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅。本技术为解决上述问题采取的技术方案是:本技术包括双向可控硅主体,本技术还包括连接板、插板、防盗锁、锁销和两个锁片,连接板为长方形板体,双向可控硅主体的上表面与连接板下表面的中部固定连接,连接板一端端面设有插槽,连接板的每一端分别各设有一个沉孔,插板插装在插槽内,连接板一端端面由上至下依次设有两个锁片,锁销右下至上依次穿过两个锁片,防盗锁与锁销的上端连接。本技术的有益效果是:本技术能有效解决防止可控硅被盗窃的问题,减少国家的经济损失,同时也避免供电线路被破坏,本技术结构简单,操作方便,且使用寿命长。【专利附图】【附图说明】图1是本技术的主剖视图。【具体实施方式】【具体实施方式】一:结合图1说明本实施方式,本实施方式所述可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅包括双向可控硅主体I,本实施方式还包括连接板2、插板3、防盗锁4、锁销6和两个锁片5,连接板2为长方形板体,双向可控硅主体I的上表面与连接板2下表面的中部固定连接,连接板2 —端端面设有插槽2-1,连接板2的每一端分别各设有一个沉孔2-2,插板3插装在插槽2-1内,连接板2 —端端面由上至下依次设有两个锁片5,锁销6右下至上依次穿过两个锁片5,防盗锁4与锁销6的上端连接。【具体实施方式】二:结合图1说明本实施方式,本实施方式所述可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅插板3为绝缘橡胶做的插板3。其它组成及连接关系与【具体实施方式】一相同。工作原理将双向可控硅插装在串联补偿器上,在每个沉孔2-2内插入一个螺栓,拧紧螺栓后,将插板3插入插槽2-1内,插板3将两个螺栓盖住,锁销6由上至下依次穿两个锁片5,最后用防盗锁4将锁销6上端锁住。【权利要求】1.可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅,它包括双向可控硅主体(1),其特征在于:所述可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅还包括连接板(2)、插板(3)、防盗锁(4)、锁销(6)和两个锁片(5),连接板(2)为长方形板体,双向可控硅主体(I)的上表面与连接板(2)下表面的中部固定连接,连接板(2)—端端面设有插槽(2-1),连接板(2)的每一端分别各设有一个沉孔(2-2),插板(3)插装在插槽(2-1)内,连接板(2)—端端面由上至下依次设有两个锁片(5),锁销(6)右下至上依次穿过两个锁片(5),防盗锁(4)与锁销(6)的上端连接。2.根据权利要求1所述可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅,其特征在于:插板(3)为绝缘橡胶做的插板(3 )。【文档编号】H02J3/00GK203674716SQ201420033794【公开日】2014年6月25日 申请日期:2014年1月20日 优先权日:2014年1月20日 【专利技术者】张艳丽, 田思庆, 黎霞, 张绍楠, 孙红梅 申请人:张艳丽本文档来自技高网...

【技术保护点】
可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅,它包括双向可控硅主体(1),其特征在于:所述可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅还包括连接板(2)、插板(3)、防盗锁(4)、锁销(6)和两个锁片(5),连接板(2)为长方形板体,双向可控硅主体(1)的上表面与连接板(2)下表面的中部固定连接,连接板(2)一端端面设有插槽(2‑1),连接板(2)的每一端分别各设有一个沉孔(2‑2),插板(3)插装在插槽(2‑1)内,连接板(2)一端端面由上至下依次设有两个锁片(5),锁销(6)右下至上依次穿过两个锁片(5),防盗锁(4)与锁销(6)的上端连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张艳丽田思庆黎霞张绍楠孙红梅
申请(专利权)人:张艳丽
类型:新型
国别省市:黑龙江;23

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