一种Cu2O/ZnO异质结材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Cu2O/ZnO异质结材料的制备方法，先以电化学法在导电基底上沉积Cu2O薄膜，再以脉冲激光沉积法或磁控溅射沉积法在Cu2O薄膜上沉积ZnO薄膜，在保护气氛中退火处理后，得到了Cu2O/ZnO异质结材料。本发明专利技术通过电化学沉积法在导电基底上沉积得到具有起伏丘陵状的Cu2O薄膜，增大了Cu2O/ZnO异质结材料的面积，提高了对光能的利用率；再以脉冲激光沉积法或磁控溅射沉积法生长ZnO薄膜，ZnO薄膜致密地包覆了Cu2O薄膜，起到了保护层的作用，使Cu2O与外界环境完全隔绝，提高了Cu2O/ZnO异质结材料的化学稳定性，从而延长了该材料的寿命。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Cu2O/ZnO异质结材料的制备方法，包括：（1）导电基底预处理：将导电基底表面清洗洁净、晾干；（2）电解液配制：配制含CuSO4、乳酸的水溶液，调整pH值至8～11，搅拌均匀，得到电解液；（3）Cu2O薄膜沉积：将配制好的电解液倒入电解池中，以所述导电基底为工作电极，组成标准三电极体系；加热电解池，保持温度恒定，对工作电极加以一定电位，在电极表面沉积Cu2O薄膜，得到衬底；（4）ZnO薄膜生长：采用磁控溅射沉积法或脉冲激光沉积法，以ZnO为靶材，在所述衬底上生长ZnO薄膜，得到双层膜异质结；（5）退火处理：将所述双层膜异质结置于保护气氛中，进行退火处理，得到Cu2O/ZnO异质结材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱丽萍，周梦萦，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33