一种金属硫属化合物薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种金属硫属化合物薄膜的制备方法；属于光电薄膜材料制备技术领域。本发明专利技术采用一种电沉积与化学反应结合的制备方法，首先将导电衬底作为工作电极置于电解质溶液中，用电沉积的方法制备所需要的单组元金属或合金薄层薄膜，随后将衬底浸入含硫属阴离子的前驱体溶液，上述薄膜在溶液中发生反应生成一层目标化合物薄膜，然后将得到的薄膜进行预退火处理。重复以上步骤，控制循环次数得到所需厚度的化合物薄膜预制层，最后将得到的预制层进行热处理得到金属硫属化合物薄膜。本发明专利技术解决了现有技术中薄膜成分、厚度不易控制，薄膜干燥退火时容易开裂的难题。本发明专利技术所需设备简单，制备成本低廉，所得产品性能优良等优点，便于实现产业化生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种金属硫属化合物薄膜的制备方法，包括下述步骤：步骤一以干净的导电衬底为工作电极，将工作电极置于电解液中，进行电沉积，得到金属或合金薄膜；所述金属或合金薄膜的厚度为10nm～500nm；步骤二将步骤一所得的沉积有金属或合金薄膜的导电衬底清洗干净后，浸入含硫属阴离子的前驱体溶液中反应2～60s后，取出、清洗干净，得到薄膜预制层；然后进行预退火处理；预退火处理温度为200℃～1000℃，时间为5～60min；步骤三重复步骤一、二，控制重复次数为50～500次，得到预定厚度的金属硫属化合物薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘芳洋，孙凯文，苏正华，蒋良兴，韩自力，赖延清，李劼，刘业翔，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：