存储器随机查表方法、装置和系统制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种存储器随机查表方法、装置和系统，一种存储器随机查表方法包括：将存储器的一个逻辑存储库中的待查找表复制到其他多个逻辑存储库中，其中，所述存储器包括多个逻辑存储库，每个逻辑存储库包括多个页，所述待查找表包括多个表项；按照预设顺序依次从每个存储有所述待查找表的逻辑存储库中读取表项，所述从每个存储有所述待查找表的逻辑存储库中读取表项具体为：根据待读取的表项的地址，打开所述逻辑存储库的一个页，通过第一命令读取第一突发数据，通过第二命令读取第二突发数据后将所述逻辑存储库关闭；重复该步骤，直到将所有待读取的表项读取为止。用于提高进行随机查表时的数据访问效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术实施例提供一种存储器随机查表方法、装置和系统，一种存储器随机查表方法包括：将存储器的一个逻辑存储库中的待查找表复制到其他多个逻辑存储库中，其中，所述存储器包括多个逻辑存储库，每个逻辑存储库包括多个页，所述待查找表包括多个表项；按照预设顺序依次从每个存储有所述待查找表的逻辑存储库中读取表项，所述从每个存储有所述待查找表的逻辑存储库中读取表项具体为：根据待读取的表项的地址，打开所述逻辑存储库的一个页，通过第一命令读取第一突发数据，通过第二命令读取第二突发数据后将所述逻辑存储库关闭；重复该步骤，直到将所有待读取的表项读取为止。用于提高进行随机查表时的数据访问效率。【专利说明】存储器随机查表方法、装置和系统
本专利技术实施例涉及数据存储技术，尤其涉及一种存储器随机查表方法、装置和系统。
技术介绍
第三代双数据率同步动态随机访问存储器(Double Data Rate, SynchronousDynamic Random Access Memory, 3rd generation, DDR3SDRAM)作为目前应用最广泛的外部存储器，在成本、带宽、功耗等领域都有巨大的优势。DDR3 SDRAM存储体分为8个相互独立的逻辑存储库(Bank)，每个Bank分为数行(Row)，每行称之为一页(Page)，每页又分为数列，数据存储在每一列(Column)中。需要在DDR3 SDRAM中访问数据时，首先需要根据数据所在的Bank地址和Row地址打开一个Page，然后根据数据所在的列地址读取数据，当需要读取同一 Bank中另一 Page内的数据时，需要在打开前一 Page后间隔行循环时间(time of Row Cycling, tRC)后才能打开另一 Page,并在另一 Page中读取数据。当使用DDR3 SDRAM进行查表操作时，由于表项的数据量很小，读取表项数据所需的数据传输时间远小于tRC，造成使用DDR3 SDRAM进行查表操作时效率很低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种存储器随机查表方法、装置和系统，用于提高进行随机查表时的数据访问效率。第一方面，本专利技术实施例提供一种存储器随机查表方法，包括:将存储器的一个逻辑存储库中的待查找表复制到其他多个逻辑存储库中，其中，所述存储器包括多个逻辑存储库，每个逻辑存储库包括多个页，所述待查找表包括多个表项；按照预设顺序依次从每个存储有所述待查找表的逻辑存储库中读取表项，所述从每个存储有所述待查找表的逻辑存储库中读取表项具体为:根据待读取的表项的地址，打开所述逻辑存储库的一个页，通过第一命令读取第一突发数据，通过第二命令读取第二突发数据后将所述逻辑存储库关闭；重复该步骤，直到将所有待读取的表项读取为止。在第一种可能的实现方式中，所述将存储器的一个逻辑存储库中的待查找表复制到其他多个逻辑存储库中之前，所述方法还包括:获取打开同一个逻辑存储库的时间间隔参数和时钟周期，根据所述时间间隔参数和时钟周期确定存储所述待查找表的逻辑存储库的数量。在第二种可能的实现方式中，所述将存储器的一个逻辑存储库中的待查找表复制到其他多个逻辑存储库中之前，所述方法还包括:根据所述待查找表的容量确定所述逻辑存储库的容量；根据所述表项的容量分别确定通过所述第一命令读取的第一突发数据的容量和通过所述第二命令读取的第二突发数据的容量。结合第一方面或者第一方面的第一种或第二种可能的实现方式,在第三种可能的实现方式中，所述第一命令为读取命令，所述第二命令为读后自动关闭命令。第二方面，本专利技术实施例还提供一种存储器随机查表装置，包括:复制单元，用于将存储器的一个逻辑存储库中的待查找表复制到其他多个逻辑存储库中，其中，所述存储器包括多个逻辑存储库，每个逻辑存储库包括多个页，所述待查找表包括多个表项；处理单元，用于按照预设顺序依次从每个存储有所述待查找表的逻辑存储库中读取表项，所述从每个存储有所述待查找表的逻辑存储库中读取表项具体为:根据待读取的表项的地址，打开所述逻辑存储库的一个页，通过第一命令读取第一突发数据，通过第二命令读取第二突发数据后将所述逻辑存储库关闭；重复该步骤，直到将所有待读取的表项读取为止。在第一种可能的实现方式中，进一步地，该装置还包括:第一确定单元，与所述复制单元相连，用于获取打开同一个逻辑存储库的时间间隔参数和时钟周期，根据所述时间间隔参数和时钟周期确定存储所述待查找表的逻辑存储库的数量。在第二种可能的实现方式中，进一步地，该装置还包括:第二确定单元，与所述处理单元相连，用于根据所述待查找表的容量确定所述逻辑存储库的容量，根据所述表项的容量分别确定通过所述第一命令读取的第一突发数据的容量和通过所述第二命令读取的第二突发数据的容量。结合第一方面或者第一方面的第一种或第二种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述第一命令为读取命令，所述第二命令为读后自动关闭命令。第三方面，本专利技术实施例还提供一种存储器随机查表系统，包括存储器，还包括:如上所述的存储器随机查表装置。第四方面，本专利技术实施例还提供一种存储器随机查表系统，包括存储器，所述存储器包括多个逻辑存储库，每个逻辑存储库包括多个页，还包括:处理器，与所述存储器相连，用于将所述存储器的一个逻辑存储库中的待查找表复制到其他多个逻辑存储库中，其中，所述待查找表包括多个表项；按照预设顺序依次从每个存储有所述待查找表的逻辑存储库中读取表项，所述从每个存储有所述待查找表的逻辑存储库中读取表项具体为:根据待读取的表项的地址，打开所述逻辑存储库的一个页，通过第一命令读取第一突发数据，通过第二命令读取第二突发数据后将所述逻辑存储库关闭；重复该步骤，直到将所有待读取的表项读取为止。本专利技术实施例提供的存储器随机查表方法、装置和系统，通过使用Bank复制加双突发的访问方式对DDR3 SDRAM进行随机查表，避免了 tFAW对数据访问效率的影响，显著提高了对DDR3 SDRAM进行随机查表时数据访问的效率。【专利附图】【附图说明】图1为采用一般数据读取方法对DDR3 SDRAM进行查表操作时的时序图；图2为采用Bank复制加单突发访问对DDR3 SDRAM进行查表操作时的时序图；图3为本专利技术实施例提供的存储器随机查表方法实施例一的流程图；图4为本专利技术实施例提供的存储器随机查表方法实施例二的时序图；图5为本专利技术实施例提供的存储器随机查表装置实施例一的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的存储器随机查表装置实施例二的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的存储器随机查表装置实施例三的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的存储器随机查表系统实施例一的结构不意图；图9为本专利技术实施例提供的存储器随机查表系统实施例二的结构示意图。【具体实施方式】为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。DDR3 SDRAM的数据读取是采用长度为8比特(bit)的突发式访问，突发是指对指定地址的一次读取(Read，R本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器随机查表方法，其特征在于，包括：将存储器的一个逻辑存储库中的待查找表复制到其他多个逻辑存储库中，其中，所述存储器包括多个逻辑存储库，每个逻辑存储库包括多个页，所述待查找表包括多个表项；按照预设顺序依次从每个存储有所述待查找表的逻辑存储库中读取表项，所述从每个存储有所述待查找表的逻辑存储库中读取表项具体为：根据待读取的表项的地址，打开所述逻辑存储库的一个页，通过第一命令读取第一突发数据，通过第二命令读取第二突发数据后将所述逻辑存储库关闭；重复该步骤，直到将所有待读取的表项读取为止。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孔超，胡容国，刘晓宇，尤科剑，李力，曾艳芳，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：