一种提高YVO4晶体生长质量的原料合成方法技术

一种提高YVO4晶体生长质量的原料合成方法，针对传统晶体生长中原料合成因素导致晶体出现生长纹的问题利用大半径离子La3+替代Y3+进入晶格后所形成的张力可减小该离子Y3+附近刃型位错的应变能，从而可在一定程度上抑制位错的迁移和重排，即抑制小角度晶界的形成，可以有效改善纯YVO4晶体的光学均匀性，获得高光学质量、较大尺寸、物理性能优良的YVO4。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种提高YVO4晶体生长质量的原料合成方法,采用步骤如下：依据配比浓度在蒸馏水中加入浓硝酸并煮沸，加入Y2O3?粉末同时称量一定量的NH4VO3粉末加入蒸馏水中煮沸搅拌后加入La2O3粉末，将两种溶液混合后不断搅拌，搅拌同时加入浓氨水来控制溶液的pH值，混合反应完全后将溶液静置沉淀得到的沉淀物烘干烧结成原料，其特征在于所述加入浓氨水控制溶液反应完全时的pH值在7~7.6之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：滕硕，唐崧捷，廖洪平，
申请(专利权)人：福建福晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：