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一种提高YVO4晶体生长质量的原料合成方法，针对传统晶体生长中原料合成因素导致晶体出现生长纹的问题利用大半径离子La3+替代Y3+进入晶格后所形成的张力可减小该离子Y3+附近刃型位错的应变能，从而可在一定程度上抑制位错的迁移和重排，即抑制小...
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