集成的光信号发射装置制造方法及图纸

一种集成的光信号发射装置，包括半导体本体(1)，该半导体本体具有表面发射性的包括垂直发射极层(3)的垂直发射极区域(2)，至少一个设置用于光学抽运所述垂直发射极层(3)的抽运源(4)，和辐射穿透表面(26)，在所述垂直发射极层中产生的电磁辐射(31)通过该辐射穿透表面(26)离开，其特征在于还包括：变频元件（30），所述变频元件以集成的方式直接设置在所述辐射穿透表面（26）；所述变频元件采用散热性能良好的材料制成；所述变频元件能够实现将垂直发射极层发射的基础频率变换成为二倍频或三倍频的高价频率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于信息
，具体涉及一种集成的光信号发射装置，特别是一种半导体激光器。
技术介绍
光通信系统中，信号源通常是利用半导体激光器作为光发射源。半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长，因此，品种发展快，应用范围广，目前已超过300种，半导体激光器的最主要应用领域是Gb局域网，850nm波长的半导体激光器适用于）1Gh/。局域网，1300nm-1550nm波长的半导体激光器适用于1OGb局域网系统。1978年，半导体激光器开始应用于光纤通信系统，半导体激光器可以作为光纤通信的光源和指示器以及通过大规模集成电路平面工艺组成光电子系统.由于半导体激光器有着超小型、高效率和高速工作的优异特点，所以这类器件的发展，一开始就和光通信技术紧密结合在一起，它在光通信、光变换、光互连、并行光波系统、光信息处理和光存贮、光计算机外部设备的光祸合等方面有重要用途.半导体激光器的问世极大地推...

【技术保护点】
一种集成的光信号发射装置，包括半导体本体(1)，该半导体本体具有?表面发射性的包括垂直发射极层(3)的垂直发射极区域(2)，?至少一个设置用于光学抽运所述垂直发射极层(3)的抽运源(4)，和?辐射穿透表面(26)，在所述垂直发射极层中产生的电磁辐射(31)通过该辐射穿透表面(26)离开，其特征在于还包括：变频元件（30），所述变频元件以集成的方式直接设置在所述辐射穿透表面（26）；所述变频元件采用散热性能良好的材料制成；所述变频元件能够实现将垂直发射极层发射的基础频率变换成为二倍频或三倍频的高价频率。

【技术特征摘要】
1.一种集成的光信号发射装置，包括半导体本体(1)，该半导体本体具有
-表面发射性的包括垂直发射极层(3)的垂直发射极区域(2)，
-至少一个设置用于光学抽运所述垂直发射极层(3)的抽运源(4)，和
-辐射穿透表面(26)，在所述垂直发射极层中产生的电磁辐射(31)通过该辐射穿
透表面(26)离开，
其特征在于还包括：变频元件（30），
所述变频元件以集成的方式直接设置在所述辐射穿透表面（26）；
所述变频元件采用散热性能良好的材料制成；
所述变频元件能够实现将垂直发射极层发射的基础频率变换成为二倍频或三倍
频的高价频率。
2.如权利要求1所述的光信号发射装置，所述光发射装置为半导体激光器。
3.如权利要求1所述的光信号发射装置，所述变频元件为光学非线性晶体。
4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：耿振民，
申请(专利权)人：无锡华御信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：