半导体集成电路、电流控制方法、AD转换器及电子系统技术方案

本发明专利技术涉及半导体集成电路、电流控制方法、AD转换器及电子系统。一种半导体集成电路包括：多个电流源，包括分别连接至电源线和偏置线的第一晶体管；以及多个偏置块，包括被配置为与第一晶体管一起构成电流镜像电路，并被配置为划分作为电流源的参考的参考电流，从而使得参考电流流过偏置线的第二晶体管。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2012年11月12日提交的日本在先专利申请JP2012-248392的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
本专利技术涉及半导体集成电路、电流控制方法、AD转换器、固态成像装置以及电子系统。具体地，本专利技术涉及能够可靠地降低IR降的影响而在不增加电路尺寸的半导体集成电路、电流控制方法、AD转换器、固态成像装置以及电子系统。
技术介绍
电流镜像电路使得能够容易地复制输出电流，并因此在需要大量电流源时被广泛应用。对于包括电流镜像电路的半导体集成电路而言，例如设置利用电流源的DA转换电路（DAC：数模转换器），如图1所示。在图1中的DA转换电路中，电流镜像电路由包括分别连接至电源线11和偏置线12的PMOS晶体管的第一电流源至第六电流源，以及包括参考电流Iref流过其中的PMOS晶体管的偏置块构成。在图1中的DA转换电路中，流过每个电流源的电流I1至I6的每一个的电流值由电源电压与偏置电压之间的差确定。也就是说，电流值由PMOS晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2012.11.12 JP 2012-2483921.一种半导体集成电路，包括：
多个电流源，包括分别连接至电源线和偏置线的第一晶体管；
以及
多个偏置块，包括第二晶体管，所述第二晶体管被配置为与所
述第一晶体管一起构成电流镜像电路，并划分作为所述电流源的参
考的参考电流，从而使得所述参考电流流过所述偏置线。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，
其中，所述偏置块的数量被设置为两个。
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路，
其中，被所述偏置块中的一个配置为流过所述偏置线的参考电
流与被所述偏置块中的另一个配置为不流过所述偏置线的参考电流
之比为1:3。
4.根据权利要求2所述的半导体集成电路，
其中，所述第一晶体管包括PMOS晶体管，并且
所述PMOS晶体管的栅极连接至所述偏置线，且所述PMOS
晶体管的源极连接至所述电源线，以及所述PMOS晶体管的漏极连
接至输出端。
5.根据权利要求2所述的半导体集成电路，
其中，所述第一晶体管包括NMOS晶体管，并且
所述NMOS晶体管的栅极连接至所述偏置线，且所述NMOS
晶体管的源极连接至所述电源线，以及所述NMOS晶体管的漏极连
接至输出端。
6.根据权利要求1所述的半导体集成电路，
其中，所述半导体集成电路是被配置为将数字信号转换为模拟
信号的数模转换电路，并且
所述电流源进一步包括切换元件，所述切换元件与所述第一晶
体管串联连接，并被配置为根据数字控制信号执行切换操作，从而
使得来自所述第一晶体管的电流流至输出端。
7.一种控制半导体集成电路的电流的方法，所述半导体集成电路包括
多个电流源，所述多个电流源包括分别连接至电源线和偏置线的第
一晶体管；以及多个偏置块，所述多个偏置块包括第二晶体管，所
述第二晶体管被配置为与所述第一晶体管一起构成电流镜像电路，
并使得作为所述电流源的参考的参考电流流过，所述方法包括：
所述多个偏置块将所述参考电流划分成多个电流，并使所述电
流流过所述偏置线。
8.一种模数转换器，包括：
数模转换部，包括：
多个电流源，包括分别连接至电源线和偏置线的第一晶体
管；以及切换元件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井広康，高桥知宏，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：