【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种电流镜，包括第一NMOS管M1和第二NMOS管M2，其特征在于，还包括第一电阻R1、第二电阻R2和偏置电流源Ibias，所述第一电阻R1的一端和第二电阻R2的一端连接电流镜的第一输入端，所述第二NMOS管M2的漏极连接电流镜的第二输入端；第一电阻R1的另一端与第一NMOS管M1的漏极和栅极连接，第二电阻R2的另一端与第二NMOS管M2的栅极和偏置电流源Ibias正输入端连接；第一NMOS管M1的源极、第二NMOS管M2的源极和偏置电流源Ibias的负极均接地。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：甄少伟，万宵鹏，张飞翔，杨东杰，王骥，罗萍，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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