用于压控振荡器的电压电流转换器制造技术

技术编号:11439246 阅读:120 留言:0更新日期:2015-05-13 08:41
本发明专利技术公开了一种用于压控振荡器的电压电流转换器,包括:镜像的第一和二电流路径;第一电流路径包括第一NMOS管,其栅极连接控制电压,源极接地,漏极提供第一电流路径的电流;第二电流路径输出镜像电流到电流控制振荡器;控制电压还连接到第二NMOS管的栅极和漏极,第二NMOS管的源极连接到第二电流路径的镜像电流的输出端;当控制电压为使所述第一NMOS管工作于饱和区的值时,第二NMOS管的栅源电压小于阈值电压而关闭;当控制电压升高到接近电源电压而使第一NMOS管进入线性区时,第二NMOS管的栅源电压大于阈值电压而打开并提供补偿电流到第二电流路径的镜像电流的输出端。本发明专利技术能提高输出频率信号的频率范围。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于压控振荡器的电压电流转换器,其特征在于,包括:第一电流路径和第二电流路径,所述第二电流路径为所述第一电流路径的镜像路径;所述第一电流路径包括第一NMOS管,所述第一NMOS管的栅极连接控制电压,所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的漏极提供所述第一电流路径的电流;所述第二电流路径输出所述第一电流路径的镜像电流到电流控制振荡器;所述控制电压还连接到第二NMOS管的栅极和漏极,所述第二NMOS管的源极连接到所述第二电流路径的镜像电流的输出端;当所述控制电压为使所述第一NMOS管工作于饱和区的值时,所述第二NMOS管的栅源电压小于阈值电压而关闭;当所述控制电压升高到接近电源电压而使所述第一NMOS管进入线性区时,所述第二NMOS管的栅源电压大于阈值电压而打开并提供补偿电流到所述第二电流路径的镜像电流的输出端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:宏潇
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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