【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种显示装置以及一种电子设备。
技术介绍
近年来，对使用液晶面板的显示装置或使用有机EL面板的显示装置的研究开发日益火热。这种显示装置被粗分为如下两种：一是，只将像素控制用晶体管(像素晶体管)形成在衬底上，而扫描电路(驱动电路)被包括在外围IC中的显示装置；二是，将像素晶体管和扫描电路都形成在同一衬底上的显示装置。为了实现显示装置的窄边框化或外围IC的成本降低，使用驱动电路整合型显示装置是较有效的。但是，用于驱动电路的晶体管的电特性需要高于用于像素晶体管的晶体管的电特性(例如，场效应迁移率(μFE)或阈值电压等)。作为能够应用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被广泛地周知。此外，作为其他材料，氧化物半导体引人注目(例如，专利文献1、2)。例如，作为用于晶体管的半导体薄膜，使用其电子载流子浓度低于1018/cm3且包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的非晶氧化物的晶体管引人注目。因为将氧化物半导体用于半导体层的晶体管的场效应迁移率高于将作为硅类半导体材料的非晶硅用于半导体层的晶体管，所以其工作速度快，适合用于驱动电路整合型显示装置，并且其制造工序比将多晶硅用于半导体层的晶体管更容易。但是，将氧化物半导体用于半导体层的晶体管有如下问题：氢、水分等杂质侵入氧化物半导体而导致载流子的产生，使得该晶体管的电特性中之一的阈值电压变动。[专利文献1]日本专利申请...
【技术保护点】
一种显示装置，包括：像素部，该像素部包括：像素晶体管；包括无机材料且覆盖所述像素晶体管的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的包括有机材料的第二绝缘膜；以及所述第二绝缘膜上的包括无机材料的第三绝缘膜；以及所述像素部的外部的驱动电路部，该驱动电路部包括：对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管；覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘膜；以及所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜，其中，所述驱动电路部包括所述第三绝缘膜不形成在所述第二绝缘膜上的第一区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的第二区域。
【技术特征摘要】
2012.10.30 JP 2012-2389181.一种显示装置，包括：
像素部，该像素部包括：
像素晶体管；
包括无机材料且覆盖所述像素晶体管的第一绝缘膜；
所述第一绝缘膜上的包括有机材料的第二绝缘膜；以及
所述第二绝缘膜上的包括无机材料的第三绝缘膜；以及
所述像素部的外部的驱动电路部，该驱动电路部包括：
对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管；
覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘膜；以及
所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜，
其中，所述驱动电路部包括所述第三绝缘膜不形成在所述第二绝
缘膜上的第一区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的第二
区域。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
所述驱动电路部包括：
所述第二绝缘膜上的所述第三绝缘膜；以及
所述第三绝缘膜中的开口部，
其中所述第一区域或所述第二区域位于所述开口部之下。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中在所述驱动电路部中，
所述开口部形成在所述驱动晶体管上。
4.根据权利要求1所述的显示装置，包括所述驱动电路部的外部
的非显示区域，
所述非显示区域包括：
所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜，以及
所述第三绝缘膜不形成在所述第二绝缘膜上的第三区域或所
述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的第四区域。
5.根据权利要求1所述的显示装置，
所述驱动电路部包括：
所述第二绝缘膜上的覆盖所述驱动晶体管的所述第三绝缘
膜；以及
所述第三绝缘膜中的开口部，
其中所述开口部的端部位于离所述驱动晶体管的沟道形成区域的
中心200μm以内的范围。
6.根据权利要求1所述的显示装置，
所述驱动电路部包括：
所述第二绝缘膜上的覆盖所述驱动晶体管的所述第三绝缘
膜；以及
位于离所述驱动晶体管的沟道形成区域的中心200μm以内的
范围的所述第三绝缘膜的端部。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述像素晶体管和所述
驱动晶体管的沟道都形成在氧化物半导体层中。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述像素晶体管和所述
驱动晶体管都包括栅电极、所述栅电极上的氧化物半导体层以及所述
氧化物半导体层上的源电极及漏电极。
9.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：肥塚纯一，岛行德，保坂泰靖，冈崎健一，松尾拓哉，森重恭，神崎庸辅，松木园广志，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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