【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2012年10月29日提交的日本在先专利申请JP2012-237383的优先权,其全部内容结合于此作为参考。
本专利技术涉及存储控制设备。具体地,本专利技术涉及存储设备针对将数据与错误校正码一起存储的存储器执行存储控制的存储控制设备及其处理方法。
技术介绍
从过去就已经开发一种技术:存储器(辅助存储设备)被进一步提供给包括处理器及其工作存储器(主存储设备)的信息处理系统以提高存储容量。在该信息处理系统中,DRAM(动态随机存取存储器)等被用作工作存储器。另一方面,非易失性存储器(NVM)有时可被用作存储器。该非易失性存储器大致被分为大量处理数据存取的闪存和能够小量执行快速随机存取的非易失随机存取存储器(NVRAM)。这里,引用NAND闪存作为闪存的典型实例。另一方面,非易失RAM的实例包括PCRAM(相变RAM)、MRAM(磁阻RAM)和ReRAM(电阻式RAM)等。在现有技术的非易失性存储器中,除经典的读取方法外,已经提出了一种具有高精度但涉及读时间的读方法(例如,见日本专利申请公开第2011-165297号)。即,公开了动态读取以及静态读取,该动态读取这是一种典型的具有相对较低的精度的典型高速读取方法,该静态读取是一种具有高精度的较低速度读取方法。
技术实现思路
非易失性存储器具有重复的写和读访问的这种机制从而导致其劣化的这种机制。从在这种状态下 ...
【技术保护点】
一种存储控制设备,包括:标准读请求单元,被配置为将用于具有标准精度的读请求发送至存储器中的读地址;错误校正单元,被配置为响应于具有所述标准精度的所述读请求基于错误校正码和由所述存储器返回的数据来执行错误校正;以及高精度读请求单元,被配置为在发生不能通过所述错误校正所校正的错误时,再次将用于具有比所述标准精度高的精度的读请求发送到所述读地址。
【技术特征摘要】
2012.10.29 JP 2012-2373831.一种存储控制设备,包括:
标准读请求单元,被配置为将用于具有标准精度的读请求发送
至存储器中的读地址;
错误校正单元,被配置为响应于具有所述标准精度的所述读请
求基于错误校正码和由所述存储器返回的数据来执行错误校正;以
及
高精度读请求单元,被配置为在发生不能通过所述错误校正所
校正的错误时,再次将用于具有比所述标准精度高的精度的读请求
发送到所述读地址。
2.根据权利要求1所述的存储控制设备,进一步包括:
记录单元,被配置为在全部错误由所述错误校正来校正并且被
校正的所述错误的位计数满足特定要求的情况下,记录所述读地址,
其中,
当根据新的读请求的新的读地址被记录在所述记录单元中时,
将具有所述高精度的所述读请求发送至所述新的读地址,而不发送
具有所述标准精度的所述读请求。
3.根据权利要求2所述的存储控制设备,其中,
当被校正的所述错误的所述位计数超过预定阈值时,所述记录
单元确定满足所述特定要求并记录所述读地址。
4.根据权利要求1所述的存储控制设备,其中,
当所述读地址对应于预定地址区域时,将具有所述高精度的所
述读请求发送至所述读地址,而不发送具有所述标准精度的所述读
请求。
5.根据权利要求4所述的存储控制设备,其中,
所述预定地址区域为系统区域。
6.根据权利要求1所述的存储控制设备,其中,
所述错误校正单元基于第一错误校正码对具有第一大小的数据
执行所述错误校正,并且基于具有比所述第一错误校正码的校正能
力强的校正能力的第二错误校正码对具有比所述第一大小大的第二
大小的数据执行所述错误校正,以及
当发送至所述读地址的所述读请求具有等于或者小于所述第一
大小的大小时,将具有所述高精度的所述读请求发送至所述读地址,
而不发送具有所述标准精度的所述读请求。
7.根据权利要求1所述的存储控制设备,其中,
当所述读地址的访问频率满足特定要求时,将具有所述高精度
的所述读请求发送至所述读地址,而不发送具有所述标准精度的所
述读请求。
8.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:中西健一,藤波靖,筒井敬一,
申请(专利权)人:索尼公司,
类型:发明
国别省市:日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。