【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种嵌入式系统节能装置，包括处理器，与处理器连接的降压转换器，以及用于调节降压转换器的输出电压的外部第一电阻R1和第二电阻R2，处理器连接MOSFET管栅极，在外部N沟道MOSFET设置与R2并连的第三电阻R3。该方案使用外部MOSFET管，在不影响处理器正常工作的情况下，改变处理器在休眠或等待响应时的供电电压，此方案可在一定程度上提高电源利用效率。【专利说明】一种嵌入式系统节能装置
本专利技术涉及一种嵌入式系统节能装置。具体指一种通过外部MOSFET管调节DC/DC电源反馈电阻完成降压节能的嵌入式系统的电源管理装置。
技术介绍
长期以来，便携式消费电子设备面临高性能和低功耗的挑战。这些电池供电系统通常使用嵌入式处理器，以便在处理多媒体应用时提供最大的处理能力，在睡眠模式时达到最小的功耗。处理器的功耗与工作电压的平方成正比，并与工作频率也成线性正比关系。因此，降低频率将线性地降低动态功耗，而减小内核电压能使动态功耗呈指数式下降。在传统的电池供电应用中，处理器内的动态电压调节通常是利用内部电压控制器实现的。内部寄存器允许调整后的内核电压受软件控制，以便降低能耗，最终实现最长的电池寿命。处理器在休眠模式或者等待响应过程中，外部供电电压并没有降低，导致供电系统效率比较低，这种方法对高性能手持式电池供电应用来说并不是最优的。
技术实现思路
本专利技术是一种嵌入式系统节能装置。该装置使用外部MOSFET管，在不影响处理器正常工作的情况下，改变处理器在休眠或等待响应时的供电电压，此方案可在一定程度上提高电源利用效率。本专利技术的技术方案是:—种嵌入...
【技术保护点】
一种嵌入式系统节能装置，包括处理器，与处理器连接的降压转换器，以及第一电阻R1?和第二电阻R2，其特征在于?：所述处理器连接MOSFET管栅极，在外部N?沟道?MOSFET?设置与?R2?并连的第三电阻R3；所述处理器还连接一个额外电阻，控制电压?Vc向反馈网络注入电流，调整控制电压的占空比可以改变平均直流电平；所述处理器连接有前馈电容?Cf。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王耀斌，
申请(专利权)人：陕西高新实业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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