噻二唑系化合物、发光元件用化合物、发光元件、发光装置、认证装置以及电子设备制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供在近红外区域发光的高效率且长寿命的噻二唑系化合物、发光元件用化合物、发光元件、具备该发光元件的发光装置、认证装置以及电子设备。本专利技术的噻二唑系化合物是分子内具有下述式（1）、（2）、（3）中任一种表示的基本骨架的化合物。【专利说明】噻二唑系化合物、发光元件用化合物、发光元件、发光装置、认证装置以及电子设备
本专利技术涉及噻二唑系化合物、发光元件用化合物、发光元件、发光装置、认证装置以及电子设备。
技术介绍
有机电致发光元件(所谓的有机EL元件)是具有在阳极与阴极之间插入至少I层发光性有机层的结构的发光兀件。对于这样的发光兀件，通过在阳极与阴极之间施加电场，从而将空穴从阳极侧注入到发光层，同时将电子从阴极侧注入到发光层，在发光层中空穴与电子再结合而生成激子，该激子回到基态时，其部分能量以光的形式被释放。作为这样的发光元件，已知有在超过700nm的长波长区域发光的发光元件(例如，参照专利文献1、2)。例如，对于专利文献1、2中记载的发光元件，通过将分子内作为官能团而使作为电子供体的胺和作为电子受体的腈基共存的材料用作发光层的掺杂剂，从而使发光波长长波长化。专利文献1:日本特开2000-091073号公报专利文献2:日本特开2001-110570号公报
技术实现思路
但是，以往，无法实现在近红外区域发光的、高效率且长寿命的元件。另外，对于在近红外区域进行面发光的、高效率且长寿命的发光元件，例如期待其作为使用静脉、指纹等生物体信息来认证个人的生物体认证用的光源而实现。本专利技术的目的在于提供在近红外区域发光的高效率且长寿命的噻...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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- 2-取代苄硫基-5-(4,6-二甲基嘧啶-2-)硫甲基-1,3,4-噻二唑类化合物及其应用制造技术
- 1，3，4-噻二唑类化合物及其制备方法技术
- 1,3,4-噻二唑类化合物及其制备方法技术
- 含三氟甲基吡唑的噻二唑‑2‑硫醚类化合物及其制备方法和应用技术
- 2,5-二(取代氨基甲酰基甲硫基)-1,3,4-噻二唑类化合物在抑制蓝藻生长中的应用制造技术
- 含三氟甲基吡唑的噻二唑‑2‑硫醚类化合物作为杀菌剂的应用制造技术
- 二芳基‑唑化合物制造技术
- 具有2‑氨基‑1,3,4‑噻二唑结构的α‑氨基膦酸酯化合物及其制备方法与用途技术
- 3,6-二芳基-[1,2,4]三氮唑并[3,4-b][1,3,4]噻二唑类化合物作为肿瘤细胞增殖抑制剂的用途制造技术
- 含嘧啶、噻二唑环和酰胺结构的硫醚类化合物及其应用制造技术
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