本发明涉及包含至少一个衬底和一个由氧化材料形成的织构化缓冲层的高温超导体层配置体，所述缓冲层允许高温超导体织构化生长。令人惊讶地，适当时，可以在仅一次涂覆操作中用稀土元素铈氧化物形成的缓冲材料层制备均匀缓冲层，所述缓冲材料包含镧作为稀土...