本发明属于半导体材料技术领域，提供了一种磷化铟单晶的生长方法，本发明利用碳化硅坩埚来生长磷化铟单晶，先将碳化硅坩埚放置在石英坩埚中，用碳化硅细砂填充石英坩埚与碳化硅坩埚之间的空隙，依次在碳化硅坩埚中加入磷化铟单晶籽晶、无水氧化硼片、磷化...

本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种单面磷化铟晶片的制备方法，包括以下步骤：(1)研磨；(2)一次腐蚀；(3)减薄；(4)二次腐蚀；(5)粗抛；(6)中抛；(7)精抛。该制备方法可有效提高InP晶圆的平整度、消除塌边、提升均匀性和利...

本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种降低磷化铟晶片表面硅杂质浓度的方法。该方法包括以下步骤：对磷化铟晶片进行粗抛，然后采用精抛抛光液对磷化铟晶片进行精抛；精抛后清洗、干燥磷化铟晶片，再采用混合弱酸处理磷化铟晶片；精抛抛光液包含三聚磷...

本发明属于材料加工技术领域，提供了一种腐蚀液及其制备方法和应用，本发明的腐蚀液包括两种含有不同组分的第一腐蚀液和第二腐蚀液，通过两种腐蚀液的配合，使得腐蚀后的材料的亚表面损伤能够有效改善，同时腐蚀液腐蚀速率均匀，避免了水波纹及亮点等缺陷...

本发明属于半导体晶片加工技术领域，公开了一种磷化铟晶片的清洗方法。该清洗方法，先采用有机溶剂去除磷化铟晶片表面的有机物，然后依次采用碱液、酸液和碱液对磷化铟晶片进行清洗。本发明提供的清洗方法，依次去除大颗粒物、小颗粒物和金属残留杂质，能...

本实用新型公开一种基于VGF法晶体生长用石英封帽以及晶体生长装置；所述石英封帽与石英管配合使用以实现石英管的密封，石英管内密封有晶体生长用坩埚，坩埚内盛装有晶体生长用原材料，所述原材料与石英封帽之间设置有自由空间；石英管具有开口；所述石...

本实用新型公开一种晶体生长装置，涉及晶体制备技术领域；包括晶体生长炉；其特征在于，还包括底座以及角度调整装置；所述晶体生长炉具有转轴，所述晶体生长炉通过所述转轴安装在所述底座上，与所述底座可活动连接；所述角度调整装置的驱动端连接所述晶体...

本实用新型公开了一种基于VGF法的晶体生长用双层壁坩埚，涉及晶体生长技术领域；所述双层壁坩埚包括内坩埚，所述内坩埚为由圆筒部与漏斗部结合构成的一体成型结构，所述圆筒部位于所述内坩埚的上部，所述漏斗部位于所述内坩埚的下部；其特征在于，还包...

本发明公开一种基于VFG法的气相掺杂的晶体生长方法；涉及晶体制备技术领域。包括以下步骤：S1、将晶体生长用多晶、籽晶、红磷放入坩埚；S2、将所述坩埚放置于石英管内；其特征在于，步骤S2之后还包括，S3、将连接有掺杂剂的石英封帽盖在所述石...

本发明公开一种基于VGF法晶体生长用石英封帽、晶体生长装置以及晶体生长工艺；所述石英封帽与石英管配合使用以实现石英管的密封，石英管内密封有晶体生长用坩埚，坩埚内盛装有晶体生长用原材料，所述原材料与石英封帽之间设置有自由空间；石英管具有开...

本发明公开一种晶体生长后的退火及脱锅方法以及晶体制备方法；所述退火及脱埚方法包括退火步骤以及退火步骤之后的脱埚步骤；具体地，退火步骤包括以下阶段：第一阶段：升温阶段，温度升高至所述覆盖剂的熔点以上、且低于晶体表面离解温度；第二阶段：恒温...

本实用新型公开了一种晶体生长的加热装置，涉及晶体生长技术领域；包括从上到下依次设置的多个独立的加热单元；每个加热单元均包括壳体、保温层及加热炉丝；所述壳体为空心柱体；每个加热单元的壳体表面分别螺旋缠绕有所述加热炉丝；所述保温层设在所述壳...

本实用新型公开了一种晶体生长用双层坩埚，涉及晶体生长技术领域，该双层坩埚包括用于放置原材料的上坩埚与用于晶体生长的下坩埚；所述上坩埚设置在所述下坩埚的上方，上坩埚底部外周与下坩埚开口外周密封连接；所述上坩埚底面设置有通向所述下坩埚的漏料...

本发明公开一种改善晶片主定位边立面加工中出现缺陷的方法，包括以下步骤：(1)将晶锭的主定位边均匀涂抹胶层，所述胶层覆盖主定位边；(2)将晶锭粘在石墨工装上；(3)将所述石墨工装连同晶锭安装于线切割机的加工平台上，进行线切割加工，得到晶片...

本发明公开一种大尺寸薄片磷化铟晶片的线切割加工方法，包括以下步骤：(1)石墨支撑件上加工一个与晶体外缘形状适应并对晶体外缘形成半包围状态的晶体放置槽；(2)在晶体与石墨支撑件的配合面间均匀涂抹胶层，将晶体粘在石墨支撑件上；(3)所述胶层...

本发明公开了一种低浓度P型磷化铟单晶的制备方法，包括以下步骤：S1，对采用VGF法生长单晶时使用的石英管、封帽及氮化硼坩埚进行高温退火处理；S2，采用VGF法生长低浓度P型磷化铟单晶；本发明通过对石英管、封帽及氮化硼坩埚进行高温退火处理...

本发明公开一种对VGF法生产的InP晶锭进行籽晶、引晶及结晶情况判定的方法包括：(1)晶体生长完成后，从VGF炉内取出包含石英管、氮化硼坩埚及晶锭在内的组件；(2)对石英管加热，使得氮化硼坩埚及籽晶端沉积的红磷升华沉积到石英管的端部，直...

本发明公开了一种晶体生长的加热装置，涉及晶体生长技术领域；包括从上到下依次设置的多个独立的加热单元；每个加热单元均包括壳体、保温层及加热炉丝；所述壳体为空心柱体；每个加热单元的壳体表面分别螺旋缠绕有所述加热炉丝；所述保温层设在所述壳体与...

本发明公开了一种晶体生长用双层坩埚，涉及晶体生长技术领域，该双层坩埚包括用于放置原材料的上坩埚与用于晶体生长的下坩埚；所述上坩埚设置在所述下坩埚的上方，上坩埚底部外周与下坩埚开口外周密封连接；所述上坩埚底面设置有通向所述下坩埚的漏料孔；...

本发明公开了一种晶体生长方法，涉及晶体生长技术领域；以PNB坩埚为生长容器，包括以下工艺流程：S1：石英管、石英封帽、PNB坩埚的清洗；S2：对石英管、石英封帽和PNB坩埚真空退火；S3：所有原材料装入PNB坩埚内，PNB坩埚放入石英管...