以标准CMOS逻辑工艺制作的接面二极管可作为单次可编程(OTP)元件的编程选择器，此OTP元件例如为电性熔丝。此电性熔丝的至少一部分具有至少一扩展区以加速编程。编程选择器可为至少一二极管或一MOS，其可以由MOS通道或源极/漏极二极管导...

一种单次可编程记忆体及其操作方法和编程方法以及电子系统，该单次可编程记忆体包含：多个单次可编程单元，至少一单次可编程单元包含至少：一单次可编程元素包含至少一电性熔丝，该电性熔丝耦接至一第一电压源线；及一编程选择器耦接至该单次可编程元素及...

本发明公开了一种使用单次性可编程(OTP)内存作为相当于一个多次可编程(MTP)内存的方法、装置与系统。以此方法使用OTP内存可以允许更新编码一次或多次，但仍然保持小尺寸和相对容易加工制造的优点。该编码可以是处理器的程序代码，例如开机启...

一种反熔丝存储器及电子系统，反熔丝存储器积成于一集成电路中，包括：多个反熔丝元件，其中至少一个反熔丝元件建造在下列组合的交叉点上：多个主动区线掺有第一种类型的掺杂；多个多晶硅线掺有第二类的掺杂，且垂直于主动区线，其两侧无间隔的形成；主动...

磁性记忆体、电子系统、记忆体及其提供方法，记忆体包括多个记忆存储单元，至少之一包括一存储元件有第一端和第二端，第一端耦合到第一电源电压线；一第一二极管及一第二二极管分别包括至少一第一端和一第二端；其中，第一、第二二极管的第一、第二端分别...

本发明公开了单次性可编程内存存储器、电子系统、电性熔丝存储器、可编程电阻性组件内存存储器及其方法。该可编程电阻性组件存储器包括：多个可编程电阻性存储单元，包括：一可编程电阻性组件耦合到第一电源电压线；二极管包括至少一第一主动区和一第二主...

一种相变记忆体、电子系统、可逆性电阻存储单元及提供方法，该存储单元包括多个多元化的可逆性电阻存储单元，至少之一包括：一可逆性电阻元件被耦合到第一电源电压线；一二极管包括至少有一第一主动区和一第二主动区，第一主动区具有一第一类型掺杂，第二...

本发明公开了一种电子系统、存储器及其提供方法，该存储器具有一存储元件及至少有一个二极管以作为其编程选择器。此二极管可以是接面二极管。存储元件有第一端被耦合到第一二极管的P+主动区和第二二极管的N+主动区，其中P+主动区是二极管的P端而N...

一种相变记忆体、电子系统、可逆性电阻式记忆体及提供方法，可逆性电阻式记忆体包括：多个可逆性可编程电阻式存储单元，至少之一包括：一可逆性可编程电阻式元件耦合到第一电源电压线；一二极管建构于多晶硅上，包括至少一第一端和一第二端，第一端具有一...

单次性可编程、电性熔丝、可编程电阻式的记忆体及方法，可编程电阻式记忆体包括：多个可编程电阻式存储单元，至少之一包括：一可编程电阻式元件被耦合到第一电源电压线；一二极管建构于多晶硅，包括至少有一第一端和一第二端，该第一端具有一第一型掺杂，...

一种电子系统、反熔丝记忆体元件及其提供方法，反熔丝记忆体元件包括：多个反熔丝记忆胞，至少一反熔丝记忆胞包括：第一金氧半导体晶体管，其栅极耦合到存取字符线，其第一个主动区耦合到位线；第二金氧半导体晶体管，其栅极耦合到编程字符线，其第一个主...