本发明涉及一种大口径紫外三倍频器件的制备方法，该方法首先利用Maker条纹法对四氟硼酸胍晶体的倍频系数进行测量，得到2个非零的有效的倍频系数；再用最小偏向角法测定四氟硼酸胍晶体从253nm

本发明涉及一种适用于小型燃气轮机排气测温的线性输出NTC热敏电阻器及制备方法，该方法以分析纯碳酸钡、二氧化锡和二氧化铈为原料，经混合研磨、煅烧、润湿、冷等静压、高温烧结、被电极，即获得BaSnO3+xCeO2(x=2%、4%、7%)线性...

本发明涉及一种低B值适用于宽温区测温的高灵敏度热敏电阻材料及其制备方法，该热敏电阻以氧化镧、碳酸锶、三氧化二铬和氧化铝为原料，经混合研磨、煅烧、再混合研磨、冷等静压成型、高温烧结工艺、被电极工艺过程，得到具有钙钛矿相LaCrO3的陶瓷热...

本发明涉及一种用于高温宽温区测温的尖晶石型热敏电阻材料及其制备方法，该热敏电阻材料以分析纯氧化镁、氧化铝、二氧化锰和氧化铁为原料，经混合研磨、预烧、冷等静压成型、高温烧结、涂烧电极等步骤，可得到化学组成为Mg

本发明涉及一种基于图像处理的图像传感器单粒子瞬态亮斑特征在线提取方法，该方法中涉及装置包括电源、CMOS图像传感器、图像传感器驱动板、帧抓取视频采集器、计算机，将CMOS图像传感器安装在图像传感器驱动板上并通过Camera link线与...

本发明涉及一种适用于宽温区测温的高精度热敏电阻材料及其制备方法，该材料以二氧化铈、三氧化二钕、三氧化二钐、五氧化二钒、五氧化二铌和五氧化二钽为原料，按化学组成为Ce1‑

本发明涉及一种添加剂辅助的尖晶石相Mn

本发明涉及一种黄酮类化合物槲皮素

本发明涉及一种栓翅芹根萃取物的制备方法及其应用，该方法从栓翅芹根中采用乙醇提取和有机溶剂萃取即得到栓翅芹根的萃取物，通过细胞实验证明：通过本发明所述方法获得的栓翅芹根萃取物具有促进小鼠黑色素瘤细胞（B16细胞）中黑色素细胞含量的能力，可...

本发明涉及一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法，该方法是由器件参数测试、批量数据统计分析和敏感批次参数确立组成。由于不可控制误差对商用VDMOS器件工艺批次识别的影响的主要因素为：工艺制造过程中的细微波动，会导致不同批次及批次内...

本发明涉及一种化合物四氟硼酸钠铯及制备方法及用途，该化合物的化学式为NaCs(BF4)2，分子量为329.52，为晶体结构，属于三方晶系，空间群为R

本发明公开了一种羊小肠粘膜糖蛋白的提取分离纯化方法及其应用，该方法取新鲜羊小肠，自来水洗净肠腔内容物后，刮取羊小肠粘膜，冷冻干燥，研钵研磨得羊小肠冻干粉，再用磷酸盐缓冲溶液(PBS)低温提取，过滤，滤液冷冻干燥得到羊小肠粗提物，将粗提物...

本发明涉及一种微波加热用于无机纤维生产的装置和拉丝方法，该装置是由移动式拉丝平台、微波电源、微波屏蔽腔、高温热电偶、控制台、散热风扇、微波发生器、矩形波导、云母薄片、微波谐振腔、保温腔、腔体支架、保温腔上盖、保温腔底座、辅助加热层、拉丝...

本实用新型公开了一种易脱模的长条形粉末压片模具，该模具是由底座、垫片、模筒、第一侧方垫片、第二侧方垫片、压柱和压帽组成，在制作试验压片时，先将第一侧方垫片和第二侧方垫片套在底座上的垫片上，再将模筒套在第一侧方垫片、第二侧方垫片的周围，然...

本发明提供了一种属性图聚类方法及系统，所述方法包括：将属性图输入训练好的属性图聚类模型，输出隶属度矩阵，将属性图中的每个节点划分到其隶属度最大的簇中；所述属性图聚类模型为图卷积神经网络模型；所述属性图聚类模型的训练过程为：根据属性图中所...

本发明提供一种化合物氟硼酸钠和氟硼酸钠非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为NaB4O6F，分子量为181.23，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化学式为NaB4O6F，分子量为181.23，属于正交晶系，空间群为P...

本发明提供一种适用于不同重力环境下的熔体成纤装置及方法。该装置是由封闭外壳、热源、导热通道、熔炉、熔料坩埚、旋转电机、收卷机、旋转坩埚、移动支架、连接支架、点触头、纤维收集壳、旋转电机组成，所述热源为微波、电磁、电感及电阻等热源。所述封...

本发明公开了一种一枝蒿药材提取纯化方法。该方法以一枝蒿药材为原料，将一枝蒿全草粉碎，用乙醇溶液加热回流提取，浓缩后经HPD300大孔树脂纯化，得到一枝蒿药材纯化部位。提取和纯化过程中以一枝蒿酮酸等11个化学成分作为评价指标，利用熵权法对...

本发明涉及一种新疆酸李多糖的制备方法及用途，该方法通过集成复合酶辅助热缓冲液提取和膜分离制备新疆酸李多糖，通过本发明所述方法获得的新疆酸李多糖具有较好的保湿性能及乳化能力，同时具有良好的水溶液成凝胶特性，具有食品、化妆品增稠、乳化等开发...

本公开提供一种用于光电成像器件在轨运行后光电参数恢复的方法，光电成像器件在轨运行后受到高能粒子的辐射损伤，包括：S1，将所述光电成像器件置于表面覆有遮光单元的暗室腔体中；S2，利用温控系统调节所述暗室腔体至预设温度；所述温控系统至少包括...