一种VCSEL器件，其具有形成在VCSEL结构的一个或多个层中的彼此非同轴孔和/或旋转不对称孔，以在该器件的操作中限定一个以上的光输出空间模式。这种VCSEL器件的阵列被配置为在不同组成的VCSEL器件的输出处具有不同的空间模式。组成V...

包括光学透明的变质缓冲层区域的半导体结构，应用这种结构的器件以及制造方法。光学透明的变质缓冲层生长为可在较小的晶格常数和较大的晶格常数(反之亦然)之间提供晶格常数转变，从而允许将具有两种不同晶格常数的材料单片集成。这样的缓冲层可以包括来...

公开了具有稀释氮化物有源层和位于稀释氮化物有源层之上的至少一种半导体材料的半导体器件和制造具有稀释氮化物有源层和位于稀释氮化物有源层之上的至少一种半导体材料的半导体器件的方法。混合式外延生长和使用氢扩散屏障层以最小化氢扩散入稀释氮化物有...

公开了包括半导体边缘滤波器、位于半导体边缘滤波器的上面的第一光吸收区域和位于半导体边缘滤波器的下面的第二光吸收区域的半导体器件。半导体边缘滤波器在上面的光吸收区域所吸收的第一波长范围上具有高反射率并且在下面的光吸收区域所吸收的第二波长范...

公开了一种具有GaInNAsSb、GaInNAsBi或GaInNAsSbBi有源层的光电子装置。该光电子装置具有有源层或吸收层，带隙在0.7eV至1.2eV的范围内。有源层耦接至倍增层。该倍增层被设计成在波长高达1.8μm的低光水平下提...

公开了双深度晶片通孔半导体器件及用于制造双深度晶片通孔半导体器件的方法。特别地，公开了仅背接触多结光伏电池和用于制造这种电池的工艺流程。该双深度晶片通孔多结光伏电池包括用于将前表面外延层互连至背表面上的接触焊盘的晶片通孔。在蚀刻晶片通孔...