本发明提供了一种磁控溅射制备C轴择优取向氮化铝多晶薄膜的方法和氮化铝多晶薄膜，涉及薄膜材料制备技术领域。本发明将半导体材料基片与高纯溅射铝靶相对垂直放置，可大幅提高溅射铝原子团到达基片后平行基片表面迁移运动的能量，有利于氮化铝薄膜C轴择...

本实用新型提供一种连续可调的超导滤波器及系统，基片与加电电极可接收外部施加的连续可调电压，引起基片介电常数的连续变化，从而实现其上超导滤波器响应频率的连续可调，同时还能够保持超导滤波器原有的低插损、高的带边陡峭度和带外抗干扰特性，可应用...

本发明提供一种连续可调的超导滤波器、系统及制备方法，基片与加电电极可接收外部施加的连续可调电压，引起基片介电常数的连续变化，从而实现其上超导滤波器响应频率的连续可调，同时还能够保持超导滤波器原有的低插损、高的带边陡峭度和带外抗干扰特性，...