本发明涉及电子封装基板领域，特别涉及一种氧化铝陶瓷基板材料、制备方法和应用，该氧化铝陶瓷基板的成分包括质量百分比90‑99wt％氧化铝和1‑10wt％烧结助剂，所述烧结助剂的成分为xB2O3·zSiO2·yBi2O3，15≦x≦25，5...

本发明涉及镀膜陶瓷靶材领域，特别涉及一种TZO陶瓷粉体及其制备方法和应用，该TZO陶瓷粉体的化学通式为：(1‑x)SnO2‑xZnO，其中，x＝48‑52(重量百分比，wt.％)，其通过一次球磨粉、二次球磨粉、一次煅烧粉、喷雾造粒粉、二...

本发明涉及一种滤波器材料，特别涉及一种5G陶瓷滤波器材料、其低温烧结方法及应用，属于陶瓷材料技术领域。一种5G陶瓷滤波器材料的低温烧结方法，该方法包括如下步骤：S1、根据陶瓷材料的化学计量比进行原料的配料；S2、将所述原料混合后进行高能...

本发明提供一种高Q值低温漂低K陶瓷滤波器粉体材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料领域。本发明提供的陶瓷滤波器材料化学通式为：(1

本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种5G陶瓷滤波器材料增强以降低开裂失效的方法。一种5G陶瓷滤波器材料，该材料包括陶瓷材料和必要的掺杂，所述陶瓷材料的化学通式为：(1

本发明提供一种近零温漂5G陶瓷滤波器材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料领域。本发明提供的陶瓷滤波器材料化学通式为：(1