本发明涉及一种采用近空间升华技术在衬底沉积形成半导体薄膜的方法，包括１）将半导体材料填加到坩埚内：用运载气体携带半导体材料通过通道到达置于薄膜真空沉积腔内的坩埚；２）加热坩埚使半导体材料受热升华成气相并沉积在衬底上。本发明的有益效果：用...

本发明涉及一种连续化薄膜真空沉积方法及装置，它包括以下步骤：通过在真空沉积室的进口设置至少一级进口真空预抽室、在真空沉积室的出口设置至少一级出口真空保护室，以保持真空沉积室内的真空度；各级进口真空预抽室、真空沉积室、各级出口真空保护室之...