本发明公开的一种在优化温度场下生长晶体的方法，采用物理气相传输法的热场结构，在晶体生长腔内、ＳｉＣ粉料上面放置一上口径小、下口径大的圆锥台挡板，使该圆锥台挡板大端头处外侧与坩埚的内腔壁相接触，并可随ＳｉＣ粉料的位置而变化。本发明生长方法...