非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）包括至少一个NVSRAM单元阵列。每个NVSRAM单元包含一个SRAM单元和一个MRAM单元。所述SRAM单元包括至少六个晶体管，所述MRAM单元包括至少两个晶体管和两个磁隧道结（MTJ）结构。...