本发明涉及一种新型提纯硅的方法，包括以下步骤：1)坩埚内表面覆涂一层氮化硅，涂层厚度为0.1～0.49mm，对坩埚预热；；2)停止对坩埚的加热，倒入温度为1600℃以上的液态硅，依据液态硅的纯度选择混合气体的组份及体积比，从坩埚底部对呈...